[发明专利]一种制造半导体器件的方法

说明书

提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。

技术领域

本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经经历了快速发展。IC材料和设计中的技术进步产生了多代IC，其中，每代IC都具有比前一代IC更小且更复杂的电路。然而，这些进步增大了处理和制造IC的复杂程度，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积上互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小组件)却已减小。然而，传统的半导体器件制造仍然可能具有特定缺点。例如，半导体器件制造可能涉及形貌变化。例如，晶圆的一些区域可能比晶圆的其他区域“更高”或“更矮”。形貌变化可能导致器件的性能下降或甚至器件故障。传统的半导体制造方法对形貌变化问题没有提供满意的解决方案。因此，虽然现有的半导体器件及其制造通常已经满足它们的预期目的，但是它们并非在所有方面都完全令人满意。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域和所述第二区域之间存在第一形貌变化；在所述晶圆的所述第一区域和所述第二区域的上方形成第一层；图案化所述第一层，其中，图案化的所述第一层导致所述第一区域和所述第二区域之间存在第二形貌变化，并且其中，所述第二形貌变化比第一形貌变化更加平滑；以及在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二层，其中，所述第二层的至少部分形成在图案化的所述第一层上方。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域包括闪存单元并且所述第一区域高于所述第二区域；在所述晶圆的所述第一区域上方和所述第二区域上方形成第一层；图案化所述第一层以在所述第一区域和所述第二区域之间的边界处形成间隔件组件；在所述第一区域上方和所述第二区域上方，包括在所述间隔件组件上方形成连续的第二层。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一器件和与所述第一器件相邻的第二器件的晶圆，其中，所述第一器件包括非易失性存储器件，并且，其中，在所述非易失性存储器件和所述第二器件之间的边界处存在台阶高度；在所述边界处形成组件，其中，所述组件在所述非易失性存储器件和所述第二器件之间提供所述台阶高度的减小；以及通过非共形沉积工艺，在所述非易失性存储器件和所述第二器件上方形成掩模层，其中，至少部分由于所述组件提供所述台阶高度的减小，所述掩模层连续地形成。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可更好地理解本发明。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意地增大或缩小。

图1和图3-10是根据本发明的各个实施例的处于不同制造阶段的半导体器件的截面侧视图。

图2是根据本发明的实施例的处于制造阶段的半导体器件的三维透视图。

图11是根据本发明的实施例的覆盖标记的顶视图。

图12是根据本发明的实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式