[发明专利]一种SERS芯片的制备方法

权利要求书

1. 一种SERS芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 通过自组装方法在基底上形成多个无序分布的第一导电材料；在所述的第一导电材料表面原位生长第二导电材料；所述的基底的表面具有多个凹坑，所述的第一导电材料自组装在所述的凹坑内，每个所述凹坑内包括由多个所述第一导电材料聚集而形成的纳米粒子聚集体；所述凹坑具有多种规格以使所述SERS芯片在微观下呈现出微观无序的形态，所述凹坑的规格由所述凹坑周向的轮廓形状、凹坑的体积、凹坑的开口面积限定，当二个凹坑的周向的轮廓形状、凹坑的体积、凹坑的开口面积三个中的任意一个不同时，视为二种规格；所述凹坑的深度范围为30nm～2μm，口部直径范围为50nm～4μm；所述凹坑的密度为10⁸～10¹⁰个/cm²衬底，相邻二个所述凹坑之间的最小间隔距离为1～50nm；

所述第一导电材料为纳米粒子，纳米粒子的粒径范围为2nm～120nm；所述第二导电材料的生长厚度为20～200nm。

2.根据权利要求1所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：所述纳米粒子的粒径范围为2～80nm。

3.根据权利要求2所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：所述纳米粒子的粒径范围为5～30nm。

4.根据权利要求1所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：所述第一导电材料和所述第二导电材料包括金、银、铜、铂、铝中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：所述第一导电材料的纳米粒子为合金结构或者核壳结构。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：所述第一导电材料与所述第二导电材料是相同或者不同的。

7.根据权利要求1所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：所述的基底包括无机基材、有机基材或者无机/有机复合基材。

8.根据权利要求1所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：相邻二个所述凹坑之间的最小间隔距离为5～50nm。

9.根据权利要求8所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：相邻二个所述凹坑之间的最小间隔距离为10～30nm。

10.根据权利要求1所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：所述的凹坑通过紫外刻蚀、化学刻蚀、激光刻蚀、纳米球印刷术或电化学法制得。

11.一种由权利要求1至10中任一项权利要求所述的制备方法制得的SERS芯片；所述基底的表面具有多个凹坑，所述的第一导电材料自组装在所述的凹坑内，所述第一导电材料与所述第二导电材料不同。

12.一种如权利要求1至10中任一项权利要求所述的制备方法制得的SERS芯片在低浓度有机物检测中的应用。