[发明专利]磁性物理不可克隆函数器件及磁性物理不可克隆函数装置在审
| 申请号： | 201810239799.8 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108321292A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 许炎 | 申请（专利权）人： | 武汉华芯纳磁科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上表面 磁性物理 克隆 重金属层 隧穿层 自由层 钉扎层 钴铁硼 薄膜层 物理不可克隆函数 氧化镁薄膜层 随机性 衬底上表面 氧化镁薄膜 唯一性 函数装置 防篡改 衬底 薄膜 制备 交界 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁性物理不可克隆函数器件，其特征在于，所述器件包括：衬底、设于所述衬底上表面的重金属层、设于所述重金属层上表面的磁性物理不可克隆函数层，其中，
所述磁性物理不可克隆函数层具体包括：设于所述重金属层上表面的钉扎层、设于所述钉扎层上表面的隧穿层及设于所述隧穿层上表面的自由层；或者，所述磁性物理不可克隆函数层具体包括：设于所述重金属层上表面的自由层、设于所述自由层上表面的隧穿层及设于所述隧穿层上表面的钉扎层；
所述自由层具体包括钴铁硼薄膜层及设于所述钴铁硼薄膜层上表面的氧化镁薄膜层。
2.根据权利要求1所述的磁性物理不可克隆函数器件，其特征在于，所述氧化镁薄膜层的厚度不均匀。
3.根据权利要求2所述的磁性物理不可克隆函数器件，其特征在于，所述氧化镁薄膜层各单位面积的厚度随机分布。
4.根据权利要求1所述的磁性物理不可克隆函数器件，其特征在于，所述衬底为硅衬底或者二氧化硅衬底。
5.根据权利要求1所述的磁性物理不可克隆函数器件，其特征在于，所述钉扎层为钴铁硼薄膜。
6.根据权利要求1所述的磁性物理不可克隆函数器件，其特征在于，所述隧穿层为氧化镁薄膜。
7.一种磁性物理不可克隆函数装置，其特征在于，所述装置包括若干权利要求1-6任一项所述的磁性物理不可克隆函数器件，其中，各所述磁性物理不可克隆函数器件呈阵列排布。
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