[发明专利]大电流功率MOS封装装置

权利要求书

1.一种大电流功率MOS封装装置，用于工作电压低于200V的工作环境，其特征在于，所述大电流功率MOS封装装置包括基体，所述基体设置有控制电路、输入通道、接地通道和输出通道，所述输入通道、所述接地通道和所述输出通道连通所述控制电路，电流从所述输入通道进入所述控制电路并从所述输出通道输出，所述控制电路包括调压电路、伺服电机和调压器，调压电路对输入电路内的电流进行取样、比较和放大，伺服电机转动并带动调压器调节输出通道内的电流，以使输出通道输出的电流保持稳定；所述输出通道的宽度为2.55毫米-3.61毫米；

所述输出通道自所述控制电路向电流输出方向依次包括第一段、第二段和第三段，所述第一段的宽度大于所述第二段的宽度，所述第二段的宽度大于所述第三段的宽度；所述第一段的宽度为3.57毫米-3.61毫米；所述第二段的宽度为3.07毫米-3.11毫米；

所述输入通道的宽度为0.78毫米-0.82毫米；

所述输入通道、所述接地通道和所述输出通道表面涂覆有镍或银；

所述控制电路、输入通道、接地通道和输出通道分别有多个且对应连接。