[发明专利]一种纯量子逻辑电路在审
| 申请号： | 201810240034.6 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108649947A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张海鹏;张强;王晶;林弥;张忠海;王晓媛;白建玲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱月芬 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子逻辑 算法 电路 搜索 传统逻辑 非门电路 搜索数据 负载管 集合 双势垒单量子阱 异质结结构 云计算平台 振荡二极管 大数据库 计算电路 搜索算法 外延生长 输出 冗余 超高速 大数据 驱动管 物联网 本征 顶层 非门 构建 全压 云端 剔除 电源 | ||
【权利要求书】：
1.一种纯量子逻辑电路，其特征在于：包括低压域纯量子逻辑非门计算电路、高压域输出纯量子逻辑计算非门电路、全压域输出纯量子逻辑计算非门电路，三组电路均在欧几里德空间中构建，均包括负载管、驱动管和电源；
所述的低压域输出纯量子逻辑非门计算电路的负载管为Franz-Keldysh振荡二极管；驱动管采用电流参数匹配的增强型NMOSFET或者增强型HEMT，电源选用电压可调直流或者脉冲电源；
所述的高压域输出纯量子逻辑计算非门电路的负载管为Franz-Keldysh振荡二极管；驱动管采用电流参数匹配的增强型PMOSFET，电源选用电压可调直流或者脉冲电源；
所述的全压域输出纯量子逻辑计算非门电路采用电流参数匹配的CMOS非门作为驱动管，驱动管互补驱动串联的两个负载管，两个负载管为Franz-Keldysh振荡二极管，电压可调直流或者脉冲电源作为电源，且电源电压最大值低于串联的两个Franz-Keldysh振荡二极管的阻断电压之和条件下。
2.如权利要求1所述的一种纯量子逻辑电路，其特征在于：所述的Franz-Keldysh振荡二极管采用高质量本征GaN基底上外延生长InGaN/GaN/InGaN/AlGaN/InGaN双势垒单量子阱异质结结构。
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