[发明专利]一种紫外线发光二极体无机接合封装结构有效
申请号: | 201810240042.0 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN108428779B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 张胜翔;廖建勋 | 申请(专利权)人: | 江苏奥创深紫电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H05K13/04 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 226000 江苏省南通市如东县*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外线 发光 二极体 无机 接合 封装 结构 | ||
1.一种紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于,包括:
一基板,所述基板为陶瓷基板,且所述陶瓷基板材料选自下列化合物群组中的一种:氧化铝、氮化铝、氮化硅或碳化硅;
一金属化合物层,形成于所述基板的相对二面;
一图案化铜层,形成于所述一金属化合物层的一面;
一第二金属层,形成于所述图案化铜层相对于和所述金属化合物层结合面的相对一侧;
一无机材料上框,是由氮化铝、氧化铝、氮化硅或碳化硅之一制成,并位于所述第二金属层的一自由面;
一含钛铜镍金的 第三金属层,形成于所述无机材料上框相对二侧,并和所述第二金属层相互固接;以及
一石英玻璃,是和所述无机材料上框结合,以将所述图案化铜层密封于无机材料上框以及所述基板之间。
2.根据权利要求1所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述陶瓷基板与无机材料上框是采用ICH技术(Inorganic Ceramic Heterogeneity)的金属扩散效应所形成的共晶制程实现结合,且其共晶制程材料选自下列组合中的一种:金金共晶、铜铜共晶或金锡共晶。
3.根据权利要求2所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述金属化合物层以及所述第二金属层的厚度范围是大于0μm且是小于10μm。
4.根据权利要求2或3所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述陶瓷基板与无机材料上框采用共晶制程结合,所述陶瓷基板与无机材料上框是利用所述第二金属层而结合,其厚度范围为介于0.05μm~50μm。
5.根据权利要求1或3所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述无机材料上框与所述石英玻璃之间夹设一金属层,所述金属层为金金共晶、铜铜共晶或金锡共晶,且其厚度范围介于0.05μm~50μm。
6.根据权利要求1或3所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述无机材料上框与石英玻璃是采用ICH技术(Inorganic Ceramic Heterogeneity)的金属扩散效应所形成的共晶制程实现结合,且其共晶制程材料选自下列组合中的一种:金金共晶、铜铜共晶或金锡共晶。
7.根据权利要求2所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述共晶制程中的温度与压力的关系如下式:y=-0.025x+300,其中,x为压力,y为温度,最高温为500℃。
8.根据权利要求1所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述基板上具有至少一通孔,且于所述通孔内具有一铜柱,以和所述图案化铜层形成电性连接。
9.根据权利要求1所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述第二金属层为一金属复合层。
10.根据权利要求1所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述第二金属层是为一金属化合物层。
11.根据权利要求1所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述石英玻璃以及无机材料上框间夹设一含钛化合物层以及所述第二金属层是选自下列化合物所形成的群组中的一种:镍银、镍金或镍钯金。
12.根据权利要求10所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:形成于所述基板相对二面的 所述金属化合物层是含钛化合物层以及所述第二金属层是选自下列化合物所形成的群组中的一种:镍银、镍金或镍钯金。
13.根据权利要求11所述紫外线发光二极体无机接合封装结构,其特征在于:所述金属化合物层是含钛化合物层以及所述第二金属层是选自下列化合物所形成的群组中的一种:镍银、镍金或镍钯金。
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