[发明专利]一种微型发光元件及其制作方法

权利要求书

1.微型发光元件，包括：微型发光二极管芯片、支撑结构和导电支撑基板，所述微型发光二极管芯片包括：发光外延叠层及位于同侧的第一电极和第二电极，所述支撑结构同时连接所述第一电极的下表面和支撑基板的上表面，使得所述芯片处于待拾取状态，其特征在于：所述支撑结构从下至上包含：粘接层、导电层和绝缘层，其中所述导电层之靠近芯片的一端具有柱状结构，与所述第一电极接触。

2.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于：所述柱状结构包括：针孔电极和针孔电极外的绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于：所述微型发光二极管芯片的厚度为20μm以内。

4.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于：所述微型发光二极管芯片的尺寸为100μm×100μm以内。

5.微型发光二极管芯片，包括：发光外延叠层及位于同侧的第一电极和第二电极，其中所述第一电极以电极中心由内到外划分为第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、第二区域和第三区域从表面形貌或外观颜色上进行区分。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片，其特征在于：所述第一区域为测试区，用于连接测试电极。

7.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片，其特征在于：所述第一区域和第二区域为支撑区，其中第一区域用于连接测试电极。

8.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片，其特征在于：所述第一电极与第二电极的总面积不小于所述芯片面积的40%。

9.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片，其特征在于：所述第一区域的形状为多边形或者圆形或者半圆形。

10.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片，其特征在于：所述第二区域的形状与第一区域的图形具有同心对应关系。

11.微型发光元件的制作方法，包括步骤：

（1）提供一生长衬底，在其上形成发光外延叠层；

（2）单元化所述发光外延叠层形成一系列微发光单元，在每个微发光单元的同侧形成第一电极和第二电极；

（3）在所述微发光单元的表面上形成上绝缘材料层，露出第一电极、第二电极；

（4）在所述绝缘材料上形成金属牺牲层，裸露出第一电极的表面， 所述牺牲层与所述第二电极接触；

（5）在所述牺牲层上形成绝缘保护层，裸露出第一电极的部分表面，在所述第一电极上形成一导电通孔；

（6）在所述绝缘保护层上形成导电层，其填充所述导电通孔，形成导电柱，与所述第一电极接触；

（7）将所述导电层通过导电粘接层与一导电基板粘结；

（8）去除生长衬底；

（9）蚀刻部分外延层和绝缘材料层，露出金属牺牲层；

（10）通入测试电流，其中测试电源的一端与所述金属牺牲层接触，另一端与所述导电基板接触，进行模块化测试；

（11）去除牺牲层，形成带有针孔电极的支撑结构，使所述微发光单元处于待拾取状态。

12.根据权利要求11所述的微型发光元件的制作方法，其特征在于：所述绝缘保护层包住导电柱的侧壁。

13.根据权利要求11所述的微型发光元件的制作方法，其特征在于：所述导电通孔的图形为多边形、圆形或者半圆形。

14.根据权利要求11所述的微型发光元件的制作方法，其特征在于：所述支撑结构包括：针孔电极和针孔电极外的绝缘材料。