[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的制备方法

权利要求书

1.一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)在蓝宝石衬底表面涂覆形成耐刻蚀涂层；

(b)在耐刻蚀涂层表面涂覆含硅光刻胶形成含硅光刻胶层，采用接触式曝光方式光刻形成掩膜图形；

(c)在含硅光刻胶层的保护下刻蚀耐刻蚀涂层，将掩膜图形转移至耐刻蚀涂层；

(d)去除含硅光刻胶；

(e)刻蚀耐刻蚀涂层和蓝宝石衬底，得到所述图形化蓝宝石衬底；

所述耐刻蚀涂层的材料为有机耐刻蚀材料；所述有机耐刻蚀材料包括热固性树脂；

将有机耐刻蚀材料涂覆于蓝宝石衬底表面，加热固化形成所述耐刻蚀涂层；

所述含硅光刻胶的硅含量为30％-45％。

2.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，

所述含硅光刻胶的硅含量为40％-42％。

3.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，

所述有机耐刻蚀材料还包括固化剂。

4.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为50-500nm。

5.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为80-150nm。

6.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述耐刻蚀涂层的厚度为1-3μm。

7.根据权利要求6所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述耐刻蚀涂层的厚度为1.5-2.5μm。

8.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤(b)中，通过烘烤、曝光和显影，在光刻胶层上形成掩膜图形。

9.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤(c)中通过等离子体刻蚀耐刻蚀涂层，将掩膜图形转移至耐刻蚀涂层。

10.根据权利要求9所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤(c)中，所述等离子体刻蚀气体中含有氧元素。

11.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤(d)中通过等离子体刻蚀除去光刻胶。

12.根据权利要求11所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤(d)中，所述等离子体刻蚀气体含有氟元素。

13.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤(e)中通过感应耦合等离子体刻蚀耐刻蚀涂层和蓝宝石衬底。

14.根据权利要求13所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述感应耦合等离子体刻蚀气体为Cl₂和BCl₃。