[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置，可正确地调整气体空间与工件之间的间隔。包括：搬送部，在真空容器中具有旋转体，通过旋转体而以圆周的搬送路径循环搬送工件；筒部，在朝向真空容器的内部的搬送路径的方向上延伸存在；窗构件，将导入有工艺气体的气体空间与外部之间加以划分；以及天线，通过施加电力而在气体空间的工艺气体中产生对工件进行等离子体处理的电感耦合等离子体；并且筒部具有设置有开口且朝向旋转体的对向部，在对向部与旋转体之间具有隔离壁，所述隔离壁相对于对向部及旋转体而非接触且相对于真空容器而以固定不动的方式介隔存在，在隔离壁形成有与开口对向且调节等离子体处理的范围的调节孔。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在半导体装置或液晶显示器(display)或者光盘(disk)等各种制品的制造步骤中，有在例如晶片(wafer)或玻璃基板等工件(work)上制作光学膜等薄膜的情况。薄膜可通过相对于工件而形成金属等的膜的成膜、或相对于所形成的膜而进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理等而制作。

成膜或膜处理可利用各种方法来进行，作为其一，有使用等离子体(plasma)的方法。在成膜中，将惰性气体导入至配置有靶材(target)的腔室(chamber)内，并施加直流电压。使经等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞靶材，使自靶材撞出的材料堆积于工件而进行成膜。在膜处理中，将工艺气体(process gas)导入至配置有电极的腔室内，并对电极施加高频电压。使经等离子体化的工艺气体的离、自由基等活性种碰撞工件上的膜，由此进行膜处理。

存在一种等离子体处理装置，其在一个腔室的内部安装有作为旋转体的旋转平台(table)，在旋转平台上方的周方向上配置有多个成膜用的单元(unit)与膜处理用的单元，以便可连续地进行此种成膜与膜处理(例如，参照专利文献1)。如上所述般，将工件保持于旋转平台上来搬送，并使其在成膜单元与膜处理单元的正下方经过，由此形成光学膜等。

在使用旋转平台的等离子体处理装置中，作为膜处理单元，有时使用上端封闭且下端具有开口部的筒形的电极(以下，称为“筒形电极”)。在使用筒形电极的情况下，在腔室的上部设置开口部，将筒形电极的上端介隔绝缘物安装于所述开口部。筒形电极的侧壁在腔室的内部延伸存在，且下端的开口部介隔微小的间隙而面向旋转平台。腔室接地，筒形电极作为阳极(anode)发挥功能，腔室与旋转平台作为阴极(cathode)发挥功能。将工艺气体导入至筒形电极的内部并施加高频电压，从而产生等离子体。所产生的等离子体中所含的电子流入至作为阴极的旋转平台侧。使被旋转平台保持的工件在筒形电极的开口部之下经过，由此通过等离子体而生成的离子、自由基等活性种碰撞工件来进行膜处理。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利第4428873号公报

[专利文献2]日本专利第3586198号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

近年来，成为处理对象的工件大型化，另外，也要求提高处理效率，因此有产生等离子体来进行成膜、膜处理的领域扩大的倾向。但是，在对筒形电极施加电压而产生等离子体的情况下，有时难以产生广范围、高密度的等离子体。

因此，开发一种等离子体处理装置，其可产生相对较广范围、高密度的等离子体来对大型的工件进行膜处理(例如，参照专利文献2)。关于此种等离子体处理装置，天线在与导入有工艺气体的气体空间之间介隔介电体等窗构件而配置于腔室外。而且，通过对天线施加高频电压而在气体空间内产生电感耦合的等离子体来进行膜处理。