[发明专利]一种电源噪声非敏感的电流镜电路、芯片及通信终端有效

专利信息
申请号: 201810243040.7 申请日: 2018-03-23
公开(公告)号: CN108319324B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 林升;白云芳 申请(专利权)人: 上海唯捷创芯电子技术有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 代理人: 陈曦;董烨飞
地址: 201203 上海市浦东新区张*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 噪声 敏感 电流 电路 芯片 通信 终端
【权利要求书】:

1.一种电源噪声非敏感的电流镜电路,其特征在于包括输入电流单元,所述输入电流单元并联一个输出电流单元;

所述输入电流单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管;所述第一PMOS晶体管与所述第二PMOS晶体管的源极分别连接电源,所述第一PMOS晶体管的栅极和漏极连接,并连接到偏置电流源上,所述第一PMOS晶体管与所述第二PMOS晶体管的栅极连在一起组成所述输入电流单元的P型栅极电压端;所述第二PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接,所述第一NMOS晶体管的漏极和栅极连接在一起组成所述输入电流单元的N型栅极电压端,所述N型栅极电压端与输入电路连接,所述第一NMOS晶体管的源极接地;

根据预先设置所述输入电流单元的输入电流和所述输出电流单元输出的与所述输入电流对应的镜像电流的比值,通过所述输入电流单元控制所述输出电流单元输出与所述输入电流对应的镜像电流,并消除所述镜像电流中由电源噪声引入的噪声电流成分;

每个所述输出电流单元输出的镜像电流部分或全部并联流入输出电路中,使得流入所述输出电路中的总的镜像电流是所述输入电流n倍,n为正整数。

2.一种电源噪声非敏感的电流镜电路,其特征在于包括输入电流单元,所述输入电流单元并联多个输出电流单元;

根据预先设置所述输入电流单元的输入电流和所述输出电流单元输出的与所述输入电流对应的镜像电流的比值,通过所述输入电流单元控制所述输出电流单元输出与所述输入电流对应的镜像电流,并消除所述镜像电流中由电源噪声引入的噪声电流成分;

所述输入电流单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管;所述第一PMOS晶体管与所述第二PMOS晶体管的源极分别连接电源,所述第一PMOS晶体管的栅极和漏极连接,并连接到偏置电流源上,所述第一PMOS晶体管与所述第二PMOS晶体管的栅极连在一起组成所述输入电流单元的P型栅极电压端;所述第二PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接,所述第一NMOS晶体管的漏极和栅极连接在一起组成所述输入电流单元的N型栅极电压端,所述N型栅极电压端与输入电路连接,所述第一NMOS晶体管的源极接地;

每个所述输出电流单元输出的镜像电流部分或全部并联流入输出电路中,使得流入所述输出电路中的总的镜像电流是所述输入电流n倍,n为正整数。

3.如权利要求1或2所述的电源噪声非敏感的电流镜电路,其特征在于:

所述输出电流单元包括第三PMOS晶体管和第二NMOS晶体管;所述第三PMOS晶体管的源极连接电源,所述第三PMOS晶体管的漏极分别与所述第二NMOS晶体管的漏极和所述输出电路连接,所述第三PMOS晶体管的栅极为所述输出电流单元的P型栅极电压端;所述第二NMOS晶体管的源极接地,所述第二NMOS晶体管的栅极为所述输出电流单元的N型栅极电压端;所述输出电流单元的P型栅极电压端与所述输入电流单元的P型栅极电压端连接,所述输出电流单元的N型栅极电压端与所述输入电流单元的N型栅极电压端连接。

4.如权利要求3所述的电源噪声非敏感的电流镜电路,其特征在于:

所述输入电流单元中的NMOS晶体管的尺寸比例与所述输出电流单元中的NMOS晶体管的尺寸比例相同,所述输入电流单元中的PMOS晶体管的尺寸比例与所述输出电流单元中的PMOS晶体管的尺寸比例相同。

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