[发明专利]用高频波进行硅单晶生长过程控制的硅单晶炉在审
| 申请号： | 201810243378.2 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108330531A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 黄永恩;贾建亮 | 申请（专利权）人： | 廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;C30B30/00 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 陆军 |
| 地址： | 065000 河北省廊坊*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 炉体 硅单晶生长过程 高频波 坩埚轴 石英 加热 微波加热组件 单晶硅生长 波长特性 单晶生长 底部连接 硅单晶炉 快速熔融 期间提供 上下移动 生产效率 石墨坩埚 多晶料 石墨 波孔 波能 侧壁 硅料 绕开 套在 温场 吸能 转动 微波 容纳 体内 生长 贯穿 外部 | ||
1.一种用高频波进行硅单晶生长过程控制的硅单晶炉，其特征在于包括炉体(1)、以及坩埚(2、3)，
其中，所述坩埚(2、3)位于炉体(1)内，用于容纳原料，
其中，所述炉体(1)的侧壁和/或底部布置有馈波孔(7、9)，用于与外部微波加热组件对接，以对坩埚(2、3)内的原料进行加热。
2.根据权利要求1所述的硅单晶炉，其特征在于，所述坩埚(2、3)由石英钳锅(3)、以及套在所述石英钳锅(3)外的石墨钳锅(2)组成，
所述石墨坩埚(2)的底部连接有坩埚轴(10)，所述坩埚轴(10)从所述炉体(1)的底部贯穿，用于在单晶硅生长过程中上下移动和转动所述坩埚(2、3)。
3.根据权利要求2所述的硅单晶炉，其特征在于，所述炉体(1)内壁还设有由阻波材料制成的保温层(4)，用于维持炉内温度。
4.根据权利要求1所述的硅单晶炉，其特征在于，所述坩埚(2、3)上方还设有导流筒5。
5.根据权利要求1所述的硅单晶炉，其特征在于，在所述炉体(1)的侧壁等高等间距布置有多个馈波孔(7)，并且/或者，在所述炉体(1)的底部以圆周排列形式布置有多个馈波孔(9)。
6.根据权利要求3所述的硅单晶炉，其特征在于，在所述炉体(1)的侧壁等高等间距布置有多个馈波孔(7)，并且，所述馈波孔(7)贯穿所述所保温层(4)，
其中，所述馈波孔(7)的大小与所述坩埚(2、3)的有效受波面积匹配。
7.根据权利要求1所述的硅单晶炉，其特征在于，在所述炉体(1)的炉壁外表面设有透波密封块(8)，用于盖住所述馈波孔(7、9)，密封所述炉体(1)而又不影响透波。
8.根据权利要求5或7所述的硅单晶炉，其特征在于，所述馈波孔(7)内侧的上下端设有阻波罩(6)，用于微波的放射角度。
9.根据权利要求2所述的硅单晶炉，其特征在于，所述石墨坩埚(2)的外壁具有用于使微波通过的通孔。
10.根据权利要求1所述的硅单晶炉，其特征在于，所述炉体(1)经由所述馈波孔(7、9)连接到外部微波加热组件，
其中，所述外部微波加热组件包括波导管、磁控管、控制部件，其中，所述波导管与所述侧馈波孔(7、9)对接，所述波导管用于将从磁控管产生的微波传输至所述馈波孔(7、9)，所述控制部件用于对磁控管进行振荡控制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司，未经廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810243378.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超高纯度气体输送用不锈钢管制备工艺
- 下一篇：一种单晶硅坩埚
