[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷多孔膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 201810245088.1 | 申请日: | 2018-03-23 |
公开(公告)号: | CN108380065B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 王荣航;高猛;桂林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | B01D71/70 | 分类号: | B01D71/70;B01D67/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君;陈征 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚二甲基硅氧烷 多孔 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于致孔剂的聚二甲基硅氧烷多孔膜的制备方法,其特征在于,包括:
(1)聚二甲基硅氧烷与其固化剂搅拌至产生细密气泡,抽真空,得到聚二甲基硅氧烷填充剂;
(2)将糖溶于溶剂中配制成饱和糖溶液,过滤,得到致孔剂饱和糖溶液;或者将糖研磨,过滤,得到致孔剂粉末;
(3)将步骤(1)制得的聚二甲基硅氧烷填充剂与步骤(2)制得的致孔剂饱和糖溶液/致孔剂粉末混合,搅拌至起泡,然后抽真空,待气泡消失后取出,过滤,得到含致孔剂的聚二甲基硅氧烷填充剂,备用;
(4)将步骤(3)制得的含致孔剂的聚二甲基硅氧烷填充剂进行匀膜,烘烤,自然冷却后冲洗,得到聚二甲基硅氧烷多孔膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述抽真空时间为40-120min。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述聚二甲基硅氧烷与固化剂的质量比例为10:1。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述溶剂选自有机溶剂和/或水。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述致孔剂和聚二甲基硅氧烷填充剂的质量比例根据所需多孔膜的孔的密度进行调整。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,所述匀膜的参数条件为:点胶状态时,转速为500-550转/秒;匀胶状态时,转速根据膜的厚度进行调节。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,所述烘烤温度为65-80℃。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,所述烘烤温度为75℃。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,所述冲洗温度为50-90℃。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,所述冲洗温度为60℃。
11.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述抽真空时间为40-120min;所述聚二甲基硅氧烷与固化剂的质量比例为10:1;
步骤(2)中,所述溶剂选自有机溶剂和/或水;
步骤(4)中,所述匀膜的参数条件为:点胶状态时,转速为500-550转/秒;所述烘烤温度为65-80℃;所述冲洗温度为50-90℃。
12.权利要求1-11任一所述制备方法制得的聚二甲基硅氧烷多孔膜。
13.根据权利要求12所述的聚二甲基硅氧烷多孔膜,其特征在于,所述聚二甲基硅氧烷多孔膜的膜厚为5-100微米,孔径在几百纳米到几十微米的范围内。
14.权利要求12或13所述的聚二甲基硅氧烷多孔膜在环境监测、过滤、电池生产、微流控技术方面的应用。
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