[发明专利]专用集成电路(ASIC)上的微机电系统(MEMS)在审
| 申请号： | 201810245251.4 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108423634A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | G·奥夫纳;T·迈尔;R·马恩科波夫;C·盖斯勒;A·奥古斯丁 | 申请（专利权）人： | 英特尔IP公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;H01L23/488;H01L23/49 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李炜;黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 专用集成电路 微机电系统 互连 封装组件 直接耦合 空腔 不活动 活动端 申请 | ||
1.一种封装组件，包括：
专用集成电路(ASIC)，所述ASIC具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；以及
微机电系统(MEMS)，所述MEME具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；
其中，所述MEMS、所述ASIC以及一个或多个互连构成所述MEMS、所述ASIC以及所述一个或多个互连之间的空腔，使得所述MEMS的第一面被暴露在所述空腔内。
2.如权利要求1所述的封装组件，进一步包括与所述ASIC的第一面耦合的一个或多个封装级别互连。
3.如权利要求2所述的封装组件，进一步包括与所述ASIC的第二面以及所述MEMS的第一面电耦合的一个或多个管芯级别互连。
4.如权利要求3所述的封装组件，其中，所述一个或多个管芯级别互连定位在所述空腔外部。
5.如权利要求3所述的封装组件，其中，所述一个或多个管芯级别互连定位在所述空腔内。
6.如权利要求3所述的封装组件，其中，所述一个或多个封装级别互连中的一个封装级别互连与所述一个或多个管芯级别互连中的一个管芯级别互连通过硅通孔(TSV)通信耦合。
7.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述MEMS具有比所述ASIC的侧区域小的侧区域。
8.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述第一面是所述MEMS的活动侧，并且所述第二面是所述MEMS的不活动侧。
9.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述MEMS是第一MEMS，并且所述封装组件进一步包括与所述ASIC耦合的第二MEMS。
10.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述一个或多个互连包括非导电材料。
11.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述一个或多个互连包括导电材料。
12.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述空腔暴露于外部大气。
13.一种封装组件，包括：
专用集成电路(ASIC)，所述ASIC具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；
微机电系统(MEMS)，所述MEMS具有活动侧以及与所述活动侧相对的不活动侧，所述MEMS的所述活动侧通过一个或多个互连以及一个或多个管芯级别互连与所述ASIC的所述第二面耦合；以及
一个或多个封装级别互连，与所述ASIC的所述第一面耦合，所述一个或多个封装级别互连通过一个或多个硅通孔(TSV)与所述一个或多个管芯级别互连通信耦合；
其中，所述MEMS、所述ASIC以及一个或多个互连构成所述MEMS、所述ASIC以及所述一个或多个互连之间的空腔，使得所述MEMS的所述活动侧被暴露在所述空腔内，并且所述一个或多个管芯级别互连定位在所述空腔外部。
14.如权利要求13所述的封装组件，其中，所述MEMS是第一MEMS，并且所述封装组件进一步包括与所述ASIC耦合的第二MEMS。
15.如权利要求13所述的封装组件，其中，所述一个或多个互连包括非导电材料。
16.如权利要求13所述的封装组件，其中，所述一个或多个管芯级别互连与一个或多个TSV直接物理地耦合。
17.如权利要求13所述的封装组件，其中，所述MEMS具有比所述ASIC的侧区域小的侧区域。
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