[发明专利]多层陶瓷电容器及多层陶瓷电容器的制造方法在审
申请号: | 201810245432.7 | 申请日: | 2018-03-23 |
公开(公告)号: | CN108878143A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 北村翔平 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H01G4/008 | 分类号: | H01G4/008;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;周琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内部电极层 多层陶瓷电容器 电介质层 陶瓷 多层结构 堆叠 金属 申请 制造 | ||
1.一种多层陶瓷电容器,其包括:
多层结构,其中电介质层中的每一个与内部电极层中的每一个交替地堆叠,所述电介质层的主要成分是陶瓷,所述内部电极层的主要成分是金属,
其中:
至少一个内部电极层包括主要成分为陶瓷的颗粒;并且
所述颗粒的直径为所述至少一个内部电极层的平均厚度的40%或更大。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中所述至少一个内部电极层的颗粒的最大直径为200nm或更大。
3.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器,其中:
所述颗粒存在于所述至少一个内部电极层的区域中;并且
所述区域的厚度小于所述至少一个内部电极层的平均厚度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层陶瓷电容器,其中所述至少一个内部电极层的平均值为0.5μm或更小。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的多层陶瓷电容器,其中所述内部电极层的主要成分是镍。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的多层陶瓷电容器,其中所述颗粒的主要成分是钛酸钡。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的多层陶瓷电容器,其中所述电介质层的主要成分是钛酸钡。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的多层陶瓷电容器,其中所述平均厚度是在所述内部电极层的延伸方向上以均匀间隔测量的两个或多个所述内部电极层的厚度的平均值。
9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电容器,其中:
所述平均厚度是七个内部电极层的厚度的平均值;并且
所述均匀间隔为2μm至3μm。
10.一种多层陶瓷电容器的制造方法,其包括:
在包含陶瓷粉末的生片上形成金属导电浆料的图案的第一步骤,所述金属导电浆料的主要成分是平均粒径为100nm或更小并且粒径分布的标准偏差为1.5或更小的金属粉末,所述金属导电浆料包含陶瓷粉末作为辅助材料,所述辅助材料的平均粒径为10nm或更小,所述辅助材料的粒径分布的标准偏差为5或更小;和
通过烘烤将多个由所述第一步骤获得的层单元堆叠而获得的陶瓷多层结构,通过烧结所述金属粉末形成内部电极层并通过烧结所述生片的所述陶瓷粉末形成电介质层的第二步骤,
其中:
至少一个内部电极层包括主要成分为陶瓷的颗粒;并且
所述颗粒的直径为所述至少一个内部电极层的平均厚度的40%或更大。
11.根据权利要求10所述的方法,其中在所述第二步骤中,温度从室温升高到最高温度的平均速度为30℃/分钟至80℃/分钟。
12.根据权利要求10或11所述的方法,其中所述金属粉末的主要成分是镍。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法,其中所述辅助材料的主要成分是钛酸钡。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的方法,其中所述生片的所述陶瓷粉末的主要成分是钛酸钡。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的方法,其中所述平均厚度是在所述内部电极层的延伸方向上以均匀间隔测量的两个或多个所述内部电极层的厚度的平均值。
16.根据权利要求15所述的方法,其中:
所述平均厚度是七个内部电极层的厚度的平均值;并且
所述均匀间隔为2μm至3μm。
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