[发明专利]在氮化物半导体材料上形成欧姆电极的方法

权利要求书

1.一种在氮化物半导体材料上形成欧姆电极的方法，包括以下步骤：

在氮化物半导体材料上沉积欧姆金属，所述欧姆金属为具有顶面和侧面的隔离图案；

形成绝缘膜，从而使该绝缘膜覆盖所述欧姆金属的侧面但暴露所述欧姆金属的顶面；和

使所述欧姆金属合金化。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述欧姆金属包括与氮化物半导体层接触的钛(Ti)膜，以及铝(Al)膜，并且

其中使所述欧姆金属合金化的步骤在700℃至900℃的温度下进行。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中所述欧姆金属包括与所述氮化物半导体层接触的钽(Ta)膜，以及铝(Al)膜，并且

其中使所述欧姆金属合金化的步骤在500℃至700℃的温度下进行。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中使所述欧姆金属合金化的步骤进行30秒至60秒。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中所述欧姆金属包含铝(Al)，并且

其中进行形成所述绝缘膜的步骤，使所述绝缘膜由折射率小于1.9的氮化硅制成。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中进行形成所述绝缘膜的步骤，使所述绝缘膜具有大于10nm的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中进行形成所述绝缘膜的步骤，使所述绝缘膜具有40nm的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，

还包括以下步骤，在沉积所述欧姆金属的步骤之前，

在所述氮化物半导体材料上形成另一绝缘膜，并且

在所述另一绝缘膜中形成开口，

其中，沉积所述欧姆金属的步骤包括沉积所述欧姆金属至所述另一绝缘膜的开口内的步骤，并且

其中，形成所述绝缘膜的步骤包括在所述另一绝缘膜上形成所述绝缘膜的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中，进行形成所述另一绝缘膜的步骤，使所述另一绝缘膜具有小于1.9的折射率。

10.根据权利要求8所述的方法，

其中，进行形成所述另一绝缘膜的步骤，使所述另一绝缘膜具有大于20nm的厚度。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述半导体材料包括各自由氮化物半导体材料制成的多个半导体层。