[发明专利]一种加快相变存储器写操作速度的方法在审
| 申请号： | 201810246221.5 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108417237A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 写操作 写操作地址 相变存储器 写入 预加热 后续地址 加热 | ||
1.一种加快相变存储器写操作的方法，其特征在于，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：
步骤S1，将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；
步骤S2，对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；
步骤S3，当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，并返回所述步骤S1，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的一个所述写操作地址进行预加热处理。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述当前地址后续的所述写操作地址为所述相变存储器中的存储单元的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储页的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储块的存储地址。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的所述写操作地址进行预加热处理，以使后续的所述写操作地址所对应的所述相变存储器中的存储单元的温度达到一适于进行所述写操作的预设温度。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的多个所述写操作地址进行预加热处理；
则所述步骤S2中，在对所述当前地址后续的所述写操作地址进行预加热处理之前，首先执行下述判断：
判断后续的所述写操作地址所对应的所述存储单元的温度是否已经达到所述预设温度：
若是，则不对对应的所述写操作地址进行所述预加热处理；
若否，则对对应的所述写操作地址进行所述预加热处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相变存储器包括平面型相变存储器和立体型相变存储器。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述相变存储器为所述立体型相变存储器时，所述相变存储器中包括上下堆叠的多层存储器层；
则所述步骤S2中，只对所述相变存储器中的最顶层的所述存储器层执行所述预加热处理。
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