[发明专利]接垫结构、应用该接垫结构的半导体芯片及其制造方法

说明书

本发明公开一种接垫结构、应用该接垫结构的半导体芯片及其制造方法。接垫结构形成在三五族基板上。接垫结构包括第一导电层、介电层、第二导电层及电路。介电层形成在第一导电层上且具有贯穿孔，贯穿孔露出第一导电层。第二导电层包括铆合部及接垫部，铆合部填满贯穿孔并连接于第一导电层，而接垫部形成在介电层上方。

技术领域

本发明涉及一种接垫结构、应用该接垫结构的半导体芯片及其制造方法，且特别是有关于一种具有电路的接垫结构、应用其的半导体芯片及其制造方法。

背景技术

由于电子产品的竞争性强，产品的跌价速度快，因此有效的设计出低成本的集成电路(Integrated Circuit)芯片成为一种必要，为了降低集成电路芯片的成本，将部分的电路放到接垫(PAD)的下方的做法，成为一种可以缩小集成电路芯片尺寸，进而降低成本的方式，传统三五族工艺的集成电路芯片不会将电路放到接垫下方，以三五族为基板工艺的集成电路芯片，其接垫通常包含介电层及金属层，其中金属层形成在介电层上。在打线的过程中，施加在金属层的压力容易压坏金属层或把下方的介电层压垮，甚至与介电层下方的电路结构短路，使得集成电路的功能异常，且由于部分三五族工艺所采用的介电层材料与金属层的结合性不佳，在打线的过程中容易将金属层自介电层上剥离(pad peeling)。因此，亟需提出一种能改善前述问题的方案。

发明内容

因此，本发明的目的在于提出一种接垫结构、应用该接垫结构的半导体芯片及其制造方法，可改善前述现有技术的问题。

根据本发明的一实施例，提出一种接垫结构。接垫结构形成在三五族基板之上。接垫结构包括一第一导电层、一第一介电层、一第二导电层及一第一电路。第一介电层形成在第一导电层上且至少具有一个第一贯穿孔，第一贯穿孔露出第一导电层。第二导电层包括至少一个铆合部及一第一接垫部，铆合部填满第一贯穿孔并连接于第一导电层，而第一接垫部形成在第一介电层上方。

根据本发明的另一实施例，提出一种半导体芯片。半导体芯片包括一三五族基板及一接垫结构。接垫结构形成在三五族基板之上。接垫结构包括一第一导电层、一第一介电层、一第二导电层及一第一电路。第一介电层形成在第一导电层上且至少具有一个第一贯穿孔，第一贯穿孔露出第一导电层。第二导电层包括至少一个铆合部及一第一接垫部，铆合部填满第一贯穿孔并连接于第一导电层，而第一接垫部形成在第一介电层上方。

根据本发明的另一实施例，提出一种接垫结构的制造方法。制造方法包括以下步骤。一第一电路于一三五族基板上；形成一第一导电层于三五族基板上；形成一第一介电材料覆盖第一导电层及第一电路；形成至少一第一贯穿孔贯穿第一介电材料，以形成一第一介电层，第一贯穿孔露出第一导电层；以及，形成一第二导电层于第一介电层上，第二导电层包括至少一个铆合部及一第一接垫部，铆合部填满第一贯穿孔并连接于第一导电层，而第一接垫部形成在第一介电层上方。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的半导体芯片的俯视图；

图1B绘示图1A的半导体芯片沿方向1B-1B’的剖视图；

图2A绘示依照本发明另一实施例的半导体芯片的俯视图；

图2B绘示图2A的半导体芯片沿方向2B-2B’的剖视图；

图3绘示依照本发明另一实施例的半导体芯片的俯视图；

图4绘示依照本发明另一实施例的半导体芯片的剖视图；

图5绘示依照本发明另一实施例的半导体芯片的剖视图；

图6A～6D绘示图1B的接垫结构的制造过程图。

其中，附图标记