[发明专利]一种碲化铌二维材料及其合成和应用有效

申请号：	201810249484.1	申请日：	2018-03-23
公开（公告）号：	CN108486656B	公开（公告）日：	2020-01-03
发明（设计）人：	段曦东;段镶锋;吴瑞霞	申请（专利权）人：	湖南大学
主分类号：	C30B29/46	分类号：	C30B29/46;C30B29/64;C30B25/00;B82Y40/00
代理公司：	43114 长沙市融智专利事务所(普通合伙)	代理人：	盛武生;魏娟
地址：	410082 湖***	国省代码：	湖南;43
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摘要：
搜索关键词：	二维材料挥发制备氢气合成和应用纳米片形貌体积百分数六边形厚度可控混合气氛基底表面载气流量保护气单晶载气碲化沉积生长应用
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【权利要求书】：

1.一种NbTe₂二维材料的制备方法，其特征在于：将NbCl₅在120-250℃的挥发温度、Te粉在540-580℃的挥发温度下挥发；挥发后的原料在20～220sccm的载气流量、540-580℃的沉积温度下反应并生长在基底表面，制得NbTe₂二维材料；

所述的载气为保护气和氢气的混合气氛，其中，氢气的体积百分数1-10％；

实施所述制备方法的沉积的装置包括密封的石英管，所述的石英管的一端设置用于向石英管腔室中输入载气的入口，另一端设置有用于输出石英管腔室气体的出口；根据载气气流方向，将所述的石英管的腔室分为上游变温区、高温恒温区和下游变温区；高温恒温区设置有加热装置，其特征在于，装有Te粉的磁舟放置在高温恒温区，装有NbCl₅的磁舟放置上游变温区，基底搁置在装有Te粉的磁舟上；

沉积的时间为8-15min或者25～30min。

2.如权利要求1所述的NbTe₂二维材料的制备方法，其特征在于：NbCl₅、Te粉的质量比为1～5：1。

3.如权利要求1所述的NbTe₂二维材料的制备方法，其特征在于：载气的流量为20-200sccm。

4.如权利要求1所述的NbTe₂二维材料的制备方法，其特征在于：沉积的时间为1～30min。

5.如权利要求1～4任一项所述的NbTe₂二维材料的制备方法，基底的二维材料生长面正对Te粉原料。

6.一种利用权利要求1～5任一项所述的制备方法制得的NbTe₂二维材料，其特征在于，为NbTe₂纳米片，厚度为4.5-360nm，大小为2-30μm。

7.一种权利要求6所述的NbTe₂二维材料的应用，其特征在于：应用于电学器件的制备。

8.如权利要求7所述的NbTe₂二维材料的应用，其特征在于：用于制备NbTe₂场效应晶体管。

9.如权利要求8所述的NbTe₂二维材料的应用，其特征在于：在生长有NbTe₂二维材料上用电子束曝光标记样品后，再在其表面沉积金属，得到NbTe₂场效应晶体管。

10.如权利要求9所述的NbTe₂二维材料的应用，其特征在于：通过真空镀膜机在NbTe₂二维材料上沉积金属。

11.如权利要求10所述的NbTe₂二维材料的应用，其特征在于：所述的金属为Ti和/或Au。

12.一种测试权利要求7～11任一项NbTe₂纳米片磁性的方法，其特征在于：利用所述的NbTe₂纳米片的制备方法制得NbTe₂纳米片，测试所制得的NbTe₂纳米片的磁性。