[发明专利]一种半导体基材的表面处理方法

权利要求书

1.一种半导体基材的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用超声波对半导体基材进行预清洗，预清洗时间为20分钟；其中，采用异丙醇作为清洗溶剂；

采用离子束刻蚀预清洗后的所述半导体基材；

采用磁控溅射在刻蚀后的所述半导体基材上沉积硅过渡层；其中，靶材为高纯度的硅靶材，过渡层厚度为

采用磁过滤真空阴极电弧法在沉积所述硅过渡层后的所述半导体基材上沉积类金刚石膜；

采用射频化学气相沉积在所述类金刚石膜上掺杂氟，以四氟化碳为掺杂气体，流量为80sccm，掺杂时间为15min。

2.如权利要求1所述的半导体基材的表面处理方法，其特征在于，所述采用磁过滤真空阴极电弧法在沉积所述硅过渡层后的所述半导体基材上沉积类金刚石膜，具体包括以下步骤：

采用高纯度的石墨靶材，在沉积过程中以预定速度旋转所述半导体基材，在阳极施加范围是-70V到-120V的偏压。

3.如权利要求1所述的半导体基材的表面处理方法，其特征在于，所述采用离子束刻蚀预清洗后的所述半导体基材，具体包括以下步骤：

在氩气气氛下，利用产生的氩离子束刻蚀所述半导体基材，所述氩离子束的入射角度的范围为30-45°，所述半导体基材的转速为30r/s，刻蚀速率约为

4.如权利要求1-3任一项所述的半导体基材的表面处理方法，其特征在于，在所述采用磁控溅射在刻蚀后的所述半导体基材上沉积硅过渡层之前，还包括以下步骤：

溅射所述硅靶材100秒，以使所述硅靶材产生的硅离子束稳定。

5.如权利要求1-3任一项所述的半导体基材的表面处理方法，其特征在于，所述采用超声波对半导体基材进行预清洗还包括以下步骤：

在超声波预清洗结束后，将所述半导体基材自然干燥，干燥时间为1小时。