[发明专利]一种隔板的处理方法在审
| 申请号： | 201810249744.5 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110359026A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王世哲 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/34;C23C14/02;C23C14/06;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔板 氮化硅膜 反应腔 硅片 致密 氨气 表面形成 沉积设备 硅烷反应 原料气体 送入 半导体技术领域 刻蚀半导体 双重保护 刻蚀 | ||
1.一种隔板的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
将隔板放置在沉积设备的第一反应腔内；
将氨气和硅烷通入所述第一反应腔，并且使所述第一反应腔内氨气和硅烷的体积比为1:1～1.5:1；
将硅片连续送入所述第一反应腔，以使所述隔板的表面形成第一氮化硅膜；
将形成所述第一氮化硅膜后的隔板放置在所述沉积设备的第二反应腔内；
将氨气和硅烷通入所述第二反应腔，并且使所述第二反应腔内氨气和硅烷的体积比为4:1～4.5:1；
将硅片连续送入所述第二反应腔，以使形成所述第一氮化硅膜后的隔板的表面形成第二氮化硅膜。
2.如权利要求1所述的隔板的处理方法，其特征在于，所述第一氮化硅膜和所述第二氮化硅膜的总厚度为500～1000埃。
3.如权利要求2所述的隔板的处理方法，其特征在于，所述第一反应腔内的气体总量为1500sccm，所述第一反应腔内的微波功率为5000W，所述第一反应腔内的温度为500℃，所述第一反应腔内的压强为0.3～0.45mbar，所述第一反应腔内的硅片传输速度为200～220cm/min。
4.如权利要求3所述的隔板的处理方法，其特征在于，所述第二反应腔内的气体总量为3000sccm，所述第二反应腔内的微波功率为5500W，所述第二反应腔内的温度为500℃，所述第二反应腔内的压强为0.3～0.45mbar，所述第二反应腔内的硅片传输速度为200～220cm/min。
5.如权利要求1-4任一项所述的隔板的处理方法，其特征在于，所述第一反应腔和所述第二反应腔分别为真空环境。
6.如权利要求5所述的隔板的处理方法，其特征在于，所述第一反应腔和所述第二反应腔相邻设置，且所述第一反应腔和所述第二反应腔的相邻侧壁上设有可开关的窗口；在形成所述第一氮化硅膜或所述第二氮化硅膜时，所述窗口呈关闭状态；在将形成所述第一氮化硅膜后的隔板移动至所述第二反应腔的过程中，所述窗口呈打开状态。
7.如权利要求6所述的隔板的处理方法，其特征在于，所述将形成所述第一氮化硅膜后的隔板放置在所述沉积设备的第二反应腔内，具体包括以下步骤：
打开所述窗口；
利用机械手将形成所述第一氮化硅膜后的隔板通过所述窗口放置在所述沉积设备的第二反应腔内；
在所述隔板通过所述窗口后，关闭所述窗口。
8.如权利要求1-4任一项所述的隔板的处理方法，其特征在于，所述沉积设备包括化学气相沉积设备或物理气相沉积设备或原子层沉积设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞新科技术研究开发有限公司，未经东莞新科技术研究开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810249744.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：卷绕镀膜装置
- 下一篇：钨膜的成膜方法及控制装置
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
