[发明专利]基于三相发电机的电动机启动控制装置在审

专利信息
申请号: 201810251025.7 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN108278171A 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 邢路军;陆付军 申请(专利权)人: 山东元齐新动力科技有限公司
主分类号: F02N11/08 分类号: F02N11/08;F02B63/04;B60W20/00;B60K6/26;B60L11/14
代理公司: 北京科石知识产权代理有限公司 11595 代理人: 孙玉全
地址: 253500 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 三相全桥电路 发动机 电机 蓄电池 电动机启动 调制控制器 三相发电机 调整电机 控制装置 输出电流 输入电流 整流电机 电连接 电机提供电能 后驱动电机 布置空间 电能启动 发电效率 发电转速 机电连接 控制电机 发电机 消耗 发电
【权利要求书】:

1.一种基于三相发电机的电动机启动控制装置,其特征在于,该装置包括:发动机(1)、与所述发动机(1)连接的电机(2)、与所述电机(2)电连接的三相全桥电路(3)、与所述三相全桥电路(3)电连接的调制控制器(4),以及与所述三相全桥电路(3)电连接的蓄电池(5),其中,

所述发动机(1)用于在所述电机(2)的带动下启动后驱动所述电机(2)发电;

所述电机(2)用于消耗电能启动所述发动机(1)或者在所述发动机(1)的带动下产生电能;

所述三相全桥电路(3)用于调整所述电机(2)的输入电流从而控制所述电机(2)的转速或者整流所述电机(2)的输出电流;

所述调制控制器(4)用于控制所述三相全桥电路(3)来调整所述电机的输入电流或者整流所述电机的输出电流;以及

所述蓄电池(5)用于给所述电机(2)提供电能或者接收所述电机(2)产生的电能。

2.如权利要求1所述的基于三相发电机的电动机启动控制装置,其特征在于,该装置还包括:

传感器(6),与所述电机(2)的定子和所述调制控制器(4)电连接,用于感应所述电机(2)的输出电流。

3.如权利要求2所述的基于三相发电机的电动机启动控制装置,其特征在于,所述传感器(6)为电流感应器。

4.如权利要求1所述的基于三相发电机的电动机启动控制装置,其特征在于,所述三相全桥电路(3)具体包括:

第一场效应晶体管(Q1),具有第一源极、第一栅极和第一漏极,其中,所述第一源极与所述电机(2)的U极电连接,所述第一栅极与所述调制控制器(4)电连接,所述第一漏极与所述蓄电池(5)的正极电连接;

第一二极管(D1),具有第一正极和第一负极,其中,所述第一正极与所述第一源极电连接,所述第一负极与所述第一漏极电连接;

第二场效应晶体管(Q2),具有第二源极、第二栅极和第二漏极,其中,所述第二源极与所述蓄电池(5)的负极电连接,所述第二栅极与所述调制控制器(4)电连接,所述第二漏极与所述电机(2)的U极电连接;

第二二极管(D2),具有第二正极和第二负极,其中,所述第二正极与所述第二源极电连接,所述第二负极与所述第二漏极电连接;

第三场效应晶体管(Q3),具有第三源极、第三栅极和第三漏极,其中,所述第三源极与所述电机(2)的V极电连接,所述第三栅极与所述调制控制器(4)电连接,所述第三漏极与所述蓄电池(5)的正极电连接;

第三二极管(D3),具有第三正极和第三负极,其中,所述第三正极与所述第三源极电连接,所述第三负极与所述第三漏极电连接;

第四场效应晶体管(Q4),具有第四源极、第四栅极和第四漏极,其中,所述第四源极与所述蓄电池(5)的负极电连接,所述第四栅极与所述调制控制器(4)电连接,所述第四漏极与所述电机(2)的V极电连接;

第四二极管(D4),具有第四正极和第四负极,其中,所述第四正极与所述第四源极电连接,所述第四负极与所述第四漏极电连接;

第五场效应晶体管(Q5),具有第五源极、第五栅极和第五漏极,其中,所述第五源极与所述电机(2)的W极电连接,所述第五栅极与所述调制控制器(4)电连接,所述第五漏极与所述蓄电池(5)的正极电连接;

第五二极管(D5),具有第五正极和第五负极,其中,所述第五正极与所述第五源极电连接,所述第五负极与所述第五漏极电连接;

第六场效应晶体管(Q6),具有第六源极、第六栅极和第六漏极,其中,所述第六源极与所述蓄电池(5)的负极电连接,所述第六栅极与所述调制控制器(4)电连接,所述第六漏极与所述电机(2)的W极电连接;以及

第六二极管(D6),具有第六正极和第六负极,其中,所述第六正极与所述第六源极电连接,所述第六负极与所述第六漏极电连接。

5.如权利要求4所述的基于三相发电机的电动机启动控制装置,其特征在于,所述第一场效应晶体管(Q1)、所述第二场效应晶体管(Q2)、所述第三场效应晶体管(Q3)、所述第四场效应晶体管(Q4)、所述第五场效应晶体管(Q5)和所述第六场效应晶体管(Q6)均为CMOS场效应晶体管。

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