[发明专利]台阶式薄膜波导电光调制器制作方法

权利要求书

1.一种台阶式薄膜波导电光调制器制作方法，其特征在于，在MgO晶体基底(1)上制作BaTiO₃晶体薄膜(5)，膜厚为400～550nm；再将BaTiO₃晶体薄膜(5)两侧部分按某一深度刻蚀掉一层，BaTiO₃晶体薄膜(5)的中间部分成为BaTiO₃薄膜窄条(6)，膜厚为200～400nm；接着将BaTiO₃晶体薄膜(5)两侧与BaTiO₃薄膜窄条(6)侧壁相距某一距离的部分按某一深度刻蚀掉一层，然后在刚刚刻蚀掉的一层BaTiO₃晶体薄膜的位置制作调制边电极(7)，调制边电极(7)的高度大于所述刚刚刻蚀掉的一层BaTiO₃晶体薄膜的厚度，完成制作。

2.根据权利要求1所述的台阶式薄膜波导电光调制器制作方法，其特征在于，所述BaTiO₃薄膜窄条(6)的宽度为2～4μm。

3.根据权利要求1所述的台阶式薄膜波导电光调制器制作方法，其特征在于，BaTiO₃薄膜窄条(6)与BaTiO₃晶体薄膜(5)的膜厚值范围从最小值到最大值呈对应关系。

4.根据权利要求1所述的台阶式薄膜波导电光调制器制作方法，其特征在于，所述调制边电极(7)其材质为Au、Cu或者Al；调制边电极7的高度等于或者低于BaTiO₃薄膜窄条(6)上表面高度，调制边电极(7)的长度与BaTiO₃薄膜窄条(6)的长度相同。

5.根据权利要求1所述的台阶式薄膜波导电光调制器制作方法，其特征在于，所述某一距离与拟达到的电光场重叠积分值相关；所述将BaTiO₃晶体薄膜(5)两侧与BaTiO₃薄膜窄条(6)侧壁相距某一距离的部分按某一深度刻蚀掉一层中的某一深度达到MgO晶体基底(1)，或者达到MgO晶体基底(1)上表层。