[发明专利]超疏水薄膜的制备方法

说明书

本发明实施例提供一种超疏水薄膜的制备方法，包括：在衬底上形成多晶硅微纳结构阵列层；在所述多晶硅微纳结构阵列层上形成无机物微纳结构阵列层；对所述无机物微纳结构阵列层进行表面疏水化处理，制成超疏水薄膜。通过本发明，能够解决现有溶胶凝胶法制备超疏水薄膜制备步骤多、制备周期长且无法大面积生产的问题。

技术领域

本发明实施例涉及超疏水产品领域，尤其涉及一种超疏水薄膜的制备方法。

背景技术

超疏水结构在抗腐蚀、防雾、油水分离等领域有广泛的应用前景，而透明且超疏水的结构在镜头防护、汽车挡风玻璃、后视镜等产品上的应用潜力使之越来越受到人们的重视。

目前，主要通过溶胶凝胶法制作超疏水薄膜，但溶胶凝胶法制备步骤多，制备周期长，且无法大面积生产，因而需要提供一种新的超疏水薄膜的制备方法。

发明内容

本发明实施例提供一种超疏水薄膜的制备方法，能够解决现有溶胶凝胶法制备超疏水薄膜制备步骤多、制备周期长且无法大面积生产的问题。

为了达到上述目的，本发明提供一种超疏水薄膜的制备方法，包括：

在衬底上形成多晶硅微纳结构阵列层；

在所述多晶硅微纳结构阵列层上形成无机物微纳结构阵列层；

对所述无机物微纳结构阵列层进行表面疏水化处理，制成超疏水薄膜。

可选的，在衬底上形成多晶硅微纳结构阵列层，包括：

在所述衬底上沉积第一厚度的非晶硅层；

将所述非晶硅层转化为所述多晶硅微纳结构阵列层。

可选的，所述第一厚度为50nm至80nm。

可选的，将所述非晶硅层转化为所述多晶硅微纳结构阵列层，包括：

对所述非晶硅层进行准分子激光退火，形成所述多晶硅微纳结构阵列层。

可选的，所述无机物微纳结构阵列层中包括的若干个无机物微纳结构分别与所述多晶硅微纳结构阵列层包括的若干个多晶硅微纳结构对准。

可选的，对所述无机物微纳结构阵列层进行表面疏水化处理，制成超疏水薄膜，包括：

将形成有所述多晶硅微纳结构阵列层和所述无机物微纳结构阵列层的所述衬底放置于容置有疏水化溶液的密闭容器中；

以预设温度加热所述密闭容器预设时长之后，将所述衬底取出后晾干，制成所述超疏水薄膜。

可选的，所述疏水化溶液由十七氟癸基三甲氧基硅烷溶于异丙酮中形成。

可选的，所述多晶硅微纳结构阵列层包括若干个多晶硅微纳结构，相邻多晶硅微纳结构之间的间隙为0.3um至0.5um，所述多晶硅微纳结构的高度为40nm至50nm；所述无机物微纳结构阵列层包括若干个无机物微纳结构，相邻无机物微纳结构之间的间隙为0.3um至0.5um，所述无机物微纳结构的高度为40nm至50nm。

可选的，在所述多晶硅微纳结构阵列层上形成无机物微纳结构阵列层，包括：

在所述多晶硅微纳结构阵列层上沉积第二厚度的所述无机物微纳结构阵列层；其中，所述第二厚度为120nm至150nm。

可选的，所述无机物微纳结构阵列层为二氧化硅微纳结构阵列层。

本发明实施例提供的超疏水薄膜的制备方法，在衬底上形成多晶硅微纳结构阵列层之后，在多晶硅微纳结构阵列层上形成无机物微纳结构阵列层，之后，对无机物微纳结构阵列层进行表面疏水化处理，提供了一种周期短的、可大面积生产的超疏水薄膜的制备方法，有利于超疏水薄膜的商业化应用。

附图说明