[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一发光二极管芯粒，所述发光二极管芯粒包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极、N型电极和反射层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述多量子阱层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述反射层设置在所述衬底的第二表面上，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；

采用脉冲激光沉积技术在所述反射层上形成散热层，所述散热层的组成物质包括碳单质，所述碳单质的原子个数占所述散热层的原子个数的90％以上；所述散热层中的碳单质包括金刚石和石墨，所述金刚石的原子个数为所述碳单质的原子个数的40％～70％；所述散热层的组成物质还包括硅单质，所述硅单质的原子个数占所述散热层的原子个数的5％～10％；

通过胶体将所述散热层固定在散热基座上，所述散热基座、所述胶体、所述散热层和所述反射层沿所述缓冲层、所述N型半导体层、所述多量子阱层和所述P型半导体层的层叠方向依次设置。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用脉冲激光沉积技术在所述反射层上形成散热层，包括：

提供一设有石墨靶的真空室；

将所述发光二极管芯粒放入所述真空室内，对所述真空室进行抽真空；

向所述真空室内通入氢气，控制真空室内的温度为200℃～600℃，压力为10Pa～150Pa；

采用激光对所述石墨靶进行溅射，在所述反射层上形成散热层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述石墨靶中掺有硅单质，所述硅单质的原子个数占所述石墨靶的原子个数的5％～10％。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

当向所述真空室内通入氢气时，以10sccm～200sccm的流量向所述真空室内通入含硅元素的气体。

5.根据权利要求2～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述发光二极管芯粒与所述石墨靶之间的距离为4.5cm～6.5cm。

6.根据权利要求2～4任一项所述的制备方法，其特征在于，采用激光对所述石墨靶进行溅射的时长为10min～60min。

7.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括发光二极管芯粒和散热基座，所述发光二极管芯粒包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P型电极、N型电极和反射层；所述缓冲层、所述N型半导体层、所述多量子阱层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述反射层设置在所述衬底的第二表面上，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；

其特征在于，所述发光二极管芯片还包括散热层，所述散热层铺设在所述反射层上，并通过胶体固定在所述散热基座上，所述散热基座、所述胶体、所述散热层和所述反射层沿所述缓冲层、所述N型半导体层、所述多量子阱层和所述P型半导体层的层叠方向依次设置；所述散热层的组成物质包括碳单质，所述碳单质的原子个数占所述散热层的原子个数的90％以上；所述散热层中的碳单质包括金刚石和石墨，所述金刚石的原子个数为所述碳单质的原子个数的40％～70％；所述散热层的组成物质还包括硅单质，所述硅单质的原子个数占所述散热层的原子个数的5％～10％。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述散热层的厚度为50μm～500μm。