[发明专利]基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法

权利要求书

1.一种微机电换能器，包括：

半导体本体，具有彼此相对的第一表面和第二表面；

第一结构本体，耦合至所述半导体本体的所述第一表面；

密封腔，在所述半导体本体(2)和所述第一结构本体之间延伸，并且包括位于所述半导体本体中的至少两个沟槽，所述至少两个沟槽在所述半导体本体中限定桥结构，所述沟槽沿着从所述半导体本体的所述第一表面朝向所述第二表面的垂直方向延伸；以及

传感器元件，位于所述至少两个沟槽之间的所述桥结构上或中。

2.根据权利要求1所述的微机电换能器，还包括位于所述半导体本体和所述第一结构本体之间的耦合区域，所述耦合区域横向地包裹所述密封腔的至少一部分并且具有使得所述第一结构本体沿着所述垂直方向与所述桥结构隔开的厚度。

3.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中所述密封腔包括位于所述第一结构本体中的凹部，第一凹部面向所述半导体本体。

4.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中所述沟槽从所述第一表面向所述第二表面延伸穿过所述半导体本体的整个厚度，所述微机电换能器还包括：

第二结构本体，耦合至所述半导体本体的所述第二表面；其中所述密封腔在所述半导体本体和所述第二结构本体之间延伸。

5.根据权利要求4所述的微机电换能器，还包括：

第一耦合区域，位于所述半导体本体和所述第一结构本体之间，所述第一耦合区域横向地包裹所述密封腔的第一部分，并且具有使得所述第一结构本体沿着所述垂直方向与所述桥结构隔开的厚度；以及

第二耦合区域，位于所述半导体本体和所述第二结构本体之间，所述第二耦合区域横向地包裹所述密封腔的第二部分，并且具有使得所述第二结构本体沿着所述垂直方向与所述桥结构隔开的厚度。

6.根据权利要求4所述的微机电换能器，其中：

所述密封腔包括位于所述第一结构本体中的第一凹部，所述第一凹部面向所述半导体本体；并且

所述密封腔包括位于所述第二结构本体中的第二凹部，所述第二凹部面向所述半导体本体。

7.根据权利要求4所述的微机电换能器，其中所述第二结构本体具有以下中的一种材料：半导体、陶瓷和金属。

8.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中在所述半导体本体内限制所述沟槽。

9.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中所述传感器元件包括以下中的一种元件：单个压敏电阻器、至少两个压敏电阻器以及以惠斯通桥连接的四个压敏电阻器。

10.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中：

在正交于所述垂直方向的平面上，所述沟槽具有对应的纵向延伸以及与所述纵向延伸正交的对应的横向延伸；并且

所述传感器元件包括以下中的一种元件：单个压敏电阻器，在所述平面上具有与所述纵向延伸平行的主延伸；至少两个压敏电阻器，在所述平面上具有分别与所述纵向延伸和所述横向延伸平行的对应的主延伸；以惠斯通桥连接的四个压敏电阻器，其中两个压敏电阻器在所述平面上具有与所述纵向延伸平行的主延伸，并且另外两个压敏电阻器在所述平面上具有平行于所述横向延伸的主延伸。

11.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中所述密封腔包括位于所述第一结构本体中的第一凹部，所述第一凹部面向所述半导体本体并且具有沿着所述垂直方向从所述第一表面开始测量的高度，所述高度在1-500μm的范围内。