[发明专利]一种曝光方法及半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供了一种曝光方法及半导体器件的制造方法，本发明通过将待曝光基底放置在工件台上；通过温度传感器测量所述待曝光基底的表面温度，并根据所述待曝光基底的表面温度进行温度控制；对所述工件台上的待曝光基底进行对准处理以及对掩模台上的掩模版进行对准处理；执行曝光操作。本发明提供的技术方案，通过对待曝光基底进行温度控制，使待曝光基底在对准操作和曝光操作之间的温度差减小，避免了温度差值过大而导致的待曝光基底形变等问题，提高了待曝光基底进行曝光时的准确度。

技术领域

本发明实施例涉及光刻技术，尤其涉及一种曝光方法及半导体器件的制造方法。

背景技术

光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。随着对光刻技术的要求越来越高，需要减小光刻曝光过程中产生的误差。

套刻是光刻机的三大指标之一，随着节点的递进，套刻指标要求越来越高，需要考虑的误差也越来越多，在指标预算时都要加以考虑。光刻机中，硅片从外部环境的片库中取出后，先放到预对准台上进行预对准，然后再被机械手放到工件台(内部环境)上进行对准，此时温度为T1。由于内外部环境有温度差，硅片被带到内部环境后，热膨胀应力未释放。而上载硅片与上载掩模同步，但掩模上载时间比较长，在硅片对准动作结束后，还需过一段时间才能开始掩模对准，进而进行硅片曝光。而硅片在此过程中已经跟周围环境进行了热交换，温度由T1变为T2了。即曝光时硅片温度为T2，而硅片对准时其温度为T1，硅片在两种场景下有形变，将影响套刻的场间倍率，从而增大套刻误差。

发明内容

本发明提供一种曝光方法及半导体器件的制造方法，以实现排除由温度变化引起的硅片变形对光刻精度造成的影响，提高曝光准确度的目的。

第一方面，本发明实施例提供了一种曝光方法，包括：

将待曝光基底放置在工件台上；

通过温度传感器测量所述待曝光基底的表面温度，并根据所述待曝光基底的表面温度进行温度控制；

对所述工件台上的待曝光基底进行对准处理以及对掩模台上的掩模版进行对准处理；

执行曝光操作。

可选的，所述根据待曝光基底的表面温度进行温度控制之后，还包括：

等待预设时间段之后，再对所述工件台上的待曝光基底进行对准处理。

可选的，在更换掩模版时，所述预设时间段t₁为

t₁＝t_pre-N×t_mark

其中，t_pre为掩模版上版所需时间，t_mark为待曝光基底中每个对准标记的对准时间，N为待曝光基底中对准标记的个数。

可选的，在不更换掩模版时，所述预设时间段t₂为

t₂＝[M-ceil(N×t_mark/t_field)]×t_field

其中，所述待曝光基底曝光时划分为多个曝光场，M为待曝光基底中曝光场的个数，ceil为向上取整函数，t_mark为待曝光基底中每个对准标记的对准时间，N为待曝光基底中对准标记的个数，t_field为待曝光基底中每个曝光场的曝光时间。

可选的，所述待曝光基底的表面划分为多个温控场。

可选的，所述温控场为根据执行曝光操作时所述待曝光基底所在的坐标系进行划分得到的。

可选的，所述通过温度传感器测量待曝光基底的表面温度，并根据待曝光基底的表面温度进行温度控制包括：