[发明专利]集成电路装置有效

专利信息
申请号: 201810253757.X 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN109427783B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 赵南奎;林青美;成金重;李承勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/092 分类号: H01L27/092;H01L21/8238
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘培培;黄隶凡
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 集成电路 装置
【说明书】:

一种集成电路装置包括:第一鳍有源区,在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸;第二鳍有源区,在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开;栅极线,与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉;第一源极/漏极区,在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧;以及第二源极/漏极区,在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区,其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状,所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年8月22日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0106255号的权利,所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本公开涉及一种集成电路装置,且更具体来说,涉及一种包括鳍有源区的集成电路装置。

背景技术

根据电子产品越来越薄且越来越小的趋势,对集成电路装置的高集成度的需求增加。集成电路装置的尺寸缩小会造成晶体管的短沟道效应,此会降低集成电路装置的可靠性。为减小短沟道效应,已提出一种包括鳍有源区的集成电路装置。另外,随着设计规则缩小,集成电路装置的组件的尺寸以及各组件之间的距离也减小。

发明内容

本公开提供一种集成电路装置,在所述集成电路装置中,即使在相邻的源极/漏极区之间的距离减小时也可防止相邻的源极/漏极区之间的电短路。

根据本发明概念的一方面,提供一种集成电路装置,所述集成电路装置包括:第一鳍有源区,从衬底突出并在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上延伸;第二鳍有源区,从所述衬底突出,所述第二鳍有源区在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开;栅极线,在所述衬底上与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉且在所述第二方向上延伸;第一源极/漏极区,在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧;以及第二源极/漏极区,在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区,其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状,所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。

根据本发明概念的另一方面,提供一种集成电路装置,所述集成电路装置包括:第一鳍有源区,从衬底突出且在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上延伸;第二鳍有源区,从所述衬底突出,所述第二鳍有源区在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开;栅极线,在所述衬底上与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉且在所述第二方向上延伸;第一源极/漏极区,在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧;以及第二源极/漏极区,在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区,其中所述第一源极/漏极区包括面对所述第二源极/漏极区的第一侧壁及与所述第一侧壁相对的第二侧壁,且所述第一源极/漏极区的所述第一侧壁相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有与所述第二侧壁不同的轮廓,所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。

根据本发明概念的另一方面,提供一种集成电路装置,所述集成电路装置包括:第一鳍有源区,从衬底突出并在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上延伸;第二鳍有源区,从所述衬底突出,所述第二鳍有源区在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开;栅极线,在所述衬底上与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉且在所述第二方向上延伸;第一源极/漏极区,在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧;以及第二源极/漏极区,在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区,其中所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区中的至少一者的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区在所述第二方向上的各自的中心线具有不对称形状,所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。

附图说明

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810253757.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top