[发明专利]集成电路装置有效
申请号: | 201810253757.X | 申请日: | 2018-03-26 |
公开(公告)号: | CN109427783B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 赵南奎;林青美;成金重;李承勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L21/8238 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 装置 | ||
一种集成电路装置包括:第一鳍有源区,在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸;第二鳍有源区,在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开;栅极线,与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉;第一源极/漏极区,在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧;以及第二源极/漏极区,在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区,其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状,所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
[相关申请的交叉参考]
本申请主张在2017年8月22日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0106255号的权利,所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。
技术领域
本公开涉及一种集成电路装置,且更具体来说,涉及一种包括鳍有源区的集成电路装置。
背景技术
根据电子产品越来越薄且越来越小的趋势,对集成电路装置的高集成度的需求增加。集成电路装置的尺寸缩小会造成晶体管的短沟道效应,此会降低集成电路装置的可靠性。为减小短沟道效应,已提出一种包括鳍有源区的集成电路装置。另外,随着设计规则缩小,集成电路装置的组件的尺寸以及各组件之间的距离也减小。
发明内容
本公开提供一种集成电路装置,在所述集成电路装置中,即使在相邻的源极/漏极区之间的距离减小时也可防止相邻的源极/漏极区之间的电短路。
根据本发明概念的一方面,提供一种集成电路装置,所述集成电路装置包括:第一鳍有源区,从衬底突出并在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上延伸;第二鳍有源区,从所述衬底突出,所述第二鳍有源区在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开;栅极线,在所述衬底上与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉且在所述第二方向上延伸;第一源极/漏极区,在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧;以及第二源极/漏极区,在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区,其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状,所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
根据本发明概念的另一方面,提供一种集成电路装置,所述集成电路装置包括:第一鳍有源区,从衬底突出且在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上延伸;第二鳍有源区,从所述衬底突出,所述第二鳍有源区在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开;栅极线,在所述衬底上与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉且在所述第二方向上延伸;第一源极/漏极区,在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧;以及第二源极/漏极区,在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区,其中所述第一源极/漏极区包括面对所述第二源极/漏极区的第一侧壁及与所述第一侧壁相对的第二侧壁,且所述第一源极/漏极区的所述第一侧壁相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有与所述第二侧壁不同的轮廓,所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
根据本发明概念的另一方面,提供一种集成电路装置,所述集成电路装置包括:第一鳍有源区,从衬底突出并在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上延伸;第二鳍有源区,从所述衬底突出,所述第二鳍有源区在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开;栅极线,在所述衬底上与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉且在所述第二方向上延伸;第一源极/漏极区,在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧;以及第二源极/漏极区,在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区,其中所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区中的至少一者的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区在所述第二方向上的各自的中心线具有不对称形状,所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的