[发明专利]半透明薄膜太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种半透明薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)清洗导电玻璃，所述导电玻璃为ITO、FTO或AZO玻璃中的任一种；

2)在导电玻璃上沉积10-80nm的电子传输层，所述电子传输层为TiO₂、ZnO、CdS、In₂S₃或SnO₂中的任一种；

3)利用磁控溅射法、热蒸发法或化学水浴法在电子传输层上沉积100-2000nm的Sb₂S₃光吸收层，并将Sb₂S₃光吸收层在200-400℃下退火10-50min；

4)在退火处理后的Sb₂S₃光吸收层上依次旋涂H₂O₂和氨水，旋涂结束后将样品在50-200℃的加热平台上烘烤3-20min，随后转移至50-80℃的真空保温箱中保温10-60min；

5)将样品从真空保温箱中取出，在Sb₂S₃光吸收层上旋涂溶解有偏钒酸铵的稀氨水溶液，制得1-50nm的V₂O₅空穴传输层；

6)利用磁控溅射法在V₂O₅空穴传输层上沉积100-1000nm的背电极，所述背电极为ITO或FTO；

所述步骤5)具体为：

将样品从真空保温箱中取出，在Sb₂S₃光吸收层上旋涂溶解有偏钒酸铵的稀氨水溶液制得薄膜，然后将其在80或100℃加热平台上烘烤后，转移到480或500℃的加热平台上加热，从而制得1-50nm的V₂O₅空穴传输层。

2.如权利要求1所述的半透明薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中H₂O₂的浓度为20-30％，氨水的浓度为5-15％。

3.如权利要求1所述的半透明薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中稀氨水的浓度为2-10％。