[发明专利]一种超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法

权利要求书

1.一种超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(S1)线切：选择石英晶棒，将石英晶棒切割成0.2～0.7mm厚度的石英晶片，其中，切割的角度为34～35°，所述石英晶片以Z轴为长边，以X轴为短边，垂直90度，所述切割角度是指偏离石英晶棒坐标Z轴的回转角度；

(S2)晶片第一次研磨：对石英晶片进行第一次研磨，获得0.1～0.6mm厚度的石英晶片；

(S3)分选：用X光测角仪对石英晶片进行角度分选，并剔除不达标产品；

(S4)晶片第二次研磨：对分选出的石英晶片依次进行细磨、平整度精磨；

(S5)粘砣：将切割好的石英晶片排列整齐后，用粘接剂粘接成15～20mm宽度的晶砣，用线锯将粘接好的晶砣切割成4～10mm宽度的晶砣；

(S6)磨砣：将切割后的晶砣研磨到2～8mm宽度；

(S7)化砣：将晶砣中的粘接剂融化，分离出石英晶片；

(S8)滚筒修边：对分离出来的石英晶片进行外观精挑，然后对精挑得到的石英晶片进行滚筒修边；

(S9)清洗：清除加工过程中残存石英晶片表面的杂物；

(S10)第一次分频：将石英晶片进行频率分档，去除CI不良和寄生超标的晶片；

(S11)浸蚀：采用酸性溶液对石英晶片表面进行化学浸蚀；

(S12)第二次分频：将石英晶片进行频率分档，去除CI不良和寄生超标的晶片；

(S13)对石英晶片的外观精挑，最后包装入库；

所述步骤(S6)具体包括：

(S61)将晶砣依次进行Z向粗磨、Z向中磨、Z向细磨以及Z向精磨，然后检查晶砣的尺寸，筛选出2～8mm宽度的晶砣；其中，Z向粗磨是选用2500#的碳化硅作为研磨料；Z向中磨是选用4000#的碳化硅作为研磨料；Z向细磨是选用4000#的碳化硅作为研磨料；Z向精磨是选用6000#的白刚玉作为研磨料；

(S62)将与2～8mm晶砣宽度相适配的垫片和刀条组合成切割工具，将筛选出的晶砣粘接在料板上，采用切割工具将晶砣分割成2～8mm宽度的晶砣；

(S63)将晶砣依次进行X向中磨、X向细磨以及X向精磨，然后检查晶砣的尺寸，筛选出2～8mm宽度的晶砣，其中，X向中磨是选用4000#的碳化硅作为研磨料；X向细磨是选用4000#的碳化硅作为研磨料；X向精磨是选用6000#的白刚玉作为研磨料；

所述Z向是指石英晶片的Z轴方向；所述X向是指石英晶片的X轴方向。

2.根据权利要求1所述的超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤(S2)中，所述第一次研磨的研磨料为3000#的碳化硅。

3.根据权利要求1所述的超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤(S4)中，所述细磨的研磨料为4000#的碳化硅；所述平整度精磨的研磨料为6000#的白刚玉。

4.根据权利要求1所述的超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤(S11)中，所述酸性溶液为氟化氢铵溶液。