[发明专利]一种标准单元的版图布局方法及其版图

说明书

本发明提供了一种标准单元的版图布局方法和装置。所述方法包括：根据版图设计规则、标准单元的图层信息确定接触孔的通孔类型和边长；根据所述版图设计规则和接触孔的边长创建阵列排布的标准单元；根据所述标准单元的图层信息创建扩展单元，其中，所述扩展单元覆盖相邻两行或两列所述标准单元之间的间隙；根据所述接触孔的通孔类型和边长，在所述扩展单元上创建接触孔。本发明中接触孔与标准单元中晶体管之间的距离较近，降低了接触孔与标准单元之间连接线产生的寄生电阻，从而提高了标准单元的抗闩锁性能。

技术领域

本发明涉及版图技术领域，特别是涉及一种标准单元的版图布局方法及其版图。

背景技术

闩锁效应是体硅CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)电路中需要避免的寄生效应之一。标准单元的防闩锁原理是保证其良好的衬底/阱接触，常用的实现方法是在标准单元库中配套提供阱/衬底接触连接单元(Tapcell)，Tap cell与标准单元共用衬底/阱，并且Tap cell的衬底/阱与电源/地连接，因此标准单元的衬底/阱均可以通过Tap cell与电源/地连接，从而实现抗闩锁。

通常情况下，按照设计规则布局Tap cell可以保证抗闩锁能力，但是在某些情况下，Tap cell的布局可能使电路更容易进入闩锁状态。比如，Tap cell放置在标准单元的两侧，标准单元中的晶体管与相应电源/地连接时，连接线的总长度为晶体管连接Tap cell的横向距离和Tap cell连接电源/地的纵向距离。当横向距离较大时，连接线产生的寄生电阻也很大，较大的寄生电阻会使电路更容易进入闩锁状态，从而无法满足较高的抗闩锁要求。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例提供一种标准单元的版图布局方法及其版图，以解决现有技术中Tap cell的布局可能使电路更容易进入闩锁状态。

依据本发明实施例的一个方面，提供了一种标准单元的版图布局方法，所述方法包括：

根据版图设计规则、标准单元的图层信息确定接触孔的通孔类型和边长；

根据所述版图设计规则和接触孔的边长创建阵列排布的标准单元；

根据所述标准单元的图层信息创建扩展单元，其中，所述扩展单元覆盖相邻两行或两列所述标准单元之间的间隙；

根据所述接触孔的通孔类型和边长，在所述扩展单元上创建接触孔。

可选地，所述根据版图设计规则、标准单元的图层信息确定接触孔的通孔类型和边长，包括：

根据所述标准单元的图层信息，确定电源端口图层连接阱图层、地端口图层连接衬底图层，或所述电源端口图层连接所述衬底图层、所述地端口图层连接所述阱图层的连接关系；

根据所述连接关系确定所述接触孔的通孔类型；

根据所述通孔类型和所述版图设计规则，确定所述接触孔的边长。

可选地，所述根据所述标准单元的图层信息创建扩展单元，包括：

根据所述电源端口图层、所述地端口图层、所述阱图层和所述衬底图层的图层信息，在相邻两行或两列所述标准单元之间的间隙分别创建与所述电源端口图层对应的电源端口扩展图层、与所述地端口图层对应的地端口扩展图层、与所述阱图层对应的阱扩展图层和与所述衬底图层对应的衬底扩展图层。

可选地，所述根据所述版图设计规则和接触孔的边长创建阵列排布的标准单元，包括：

根据所述版图设计规则和所述接触孔的边长，确定相邻两行或两列所述标准单元之间的间距；

根据所述间距创建所述阵列排布的标准单元。

可选地，所述间距为所述接触孔的边长与两倍关键尺寸之和。