[发明专利]数据储存装置及应用于其上的操作方法

说明书

一种数据储存装置及应用于其上的操作方法，数据储存装置包括第一记忆体以及控制器。第一记忆体具有错误校正能力。控制器耦接第一记忆体，控制器用以计算第一记忆体的错误次数。当控制器判断满足警报条件时，控制器回报信息至主机，警报条件相关于第一记忆体的错误次数以及次数临界值。

技术领域

本发明涉及一种数据储存装置及应用于其上的操作方法，且特别涉及一种具有错误校正能力，并且能够将问题及早通知主机之数据储存装置。

背景技术

随着半导体工艺技术的演进，记忆体的容量以及密度迅速成长，记忆体所储存数据出现错误的机率也提升提高。因应于此，目前数据储存装置通常使用错误检测以及错误校正的技巧，以有效保护记忆体所储存的数据，避免受到错误影响，并且提高数据储存装置的可靠度。本发明提出一种适用于具有错误校正能力的数据储存装置的操作方法，以期及早发现记忆体可能存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于一种数据储存装置及应用于其上的操作方法，能够及早发现记忆体可能存在的问题以通知主机。

根据本发明的一实施例，提出一种数据储存装置，包括第一记忆体以及控制器。第一记忆体具有错误校正能力。控制器耦接第一记忆体，控制器用以计算第一记忆体的一错误次数。当控制器判断满足警报条件时，控制器回报信息至主机，警报条件相关于第一记忆体的错误次数以及次数临界值。

根据本发明的另一实施例，提出一种用于数据储存装置的操作方法，数据储存装置包括控制器及第一记忆体，此操作方法包括下列步骤。控制器计算第一记忆体的错误次数；当控制器判断满足警报条件时，回报信息至主机，警报条件相关于第一记忆体的错误次数以及次数临界值。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的数据储存装置示意图；

图2绘示依照本发明一实施例的控制器示意图；

图3绘示依照本发明一实施例用于数据储存装置的操作方法流程图；

图4绘示依照本发明一实施例包括第一记忆体及第二记忆体的数据储存装置示意图；

图5绘示依照本发明一实施例包括第一记忆体、第二记忆体、及第三记忆体的数据储存装置示意图；

图6绘示依照本发明一实施例的数据储存装置示意图；

图7A及图7B绘示依照本发明一实施例用于如图6所示数据储存装置的操作方法流程图。

其中，附图标记

10：数据储存装置

90：主机

110：控制器

112：只读记忆体

114：处理单元

121：第一记忆体

122：第二记忆体

123：第三记忆体

131：NAND快闪记忆体

132：静态随机存取记忆体

133：动态随机存取记忆体

S201、S203、S300、S301、S302、S303、S304、S311、S312、S313、S314、S320、S321、S330、S331、S340：步骤

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：