[发明专利]一种模拟电路抗单粒子瞬态效应的系统级加固方法

权利要求书

1.一种模拟电路抗单粒子瞬态效应的系统级加固方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，将待加固电路复制成A、B两个相同的电路；

步骤2，选取A电路中的一个节点a，对选取节点处的CMOS管进行故障检测，检测CMOS管是否受到单粒子轰击，具体是在所选取的节点处构建故障检测电路，所述故障检测电路包括用于检测NMOS管受轰击的N管故障检测电路和用于检测PMOS管受轰击的P管故障检测电路；

N管故障检测电路包括NMOS管M3和由PMOS管M1、M2构成的电流镜一；NMOS管M3与待检测NMOS管在实际版图中共中心放置；所述电流镜一用于将注入NMOS管M3的电流镜像到节点a；

P管故障检测电路包括PMOS管M4、由PMOS管M7、M8构成的电流镜二、由NMOS管M5、M6构成的电流镜三；所述电流镜二和电流镜三用于将注入PMOS管M4漏端的电流镜像到所述节点a；

所述故障检测电路还包括电阻RA；电阻RA一端与所述PMOS管M2、M8漏极均相连；电阻RA的另一端与所述NMOS管M3的栅极、源极相连，同时还与所述电流镜三的源极相连；

步骤3，向NMOS管M3的漏端注入用于模拟待加固NMOS管受单粒子轰击过程的双指数瞬态电流，向PMOS管M4的漏端注入用于模拟待加固PMOS管受单粒子轰击过程的双指数瞬态电流；

步骤4，重复步骤2、3，对A电路中其他节点均进行故障检测，最终将所有节点故障检测电路的瞬态电流都汇集到所述节点a，遍历A电路中所有节点中可能受到单粒子轰击的CMOS管；

步骤5，检测所述节点a处的电压值VtestA，若VtestA不等于0，则表示当前A电路中有节点受到了单粒子轰击；若VtestA等于0，则表示当前A电路未受到单粒子轰击；

步骤6，对B电路，利用上述步骤2-5的方法，得到电压值VtestB；

步骤7，将所述VtestA和VtestB作为RS触发器输入，以RS触发器两个输出控制开关选择模块中开关的导通或关闭，从而获得不受SET影响的电路输出，实现加固目的。

2.根据权利要求1所述的模拟电路抗单粒子瞬态效应的系统级加固方法，其特征在于：所述步骤2中，选取的节点为敏感节点，相应的，后续步骤仅对模拟电路中敏感节点进行加固。

3.根据权利要求1所述的模拟电路抗单粒子瞬态效应的系统级加固方法，其特征在于：所述步骤2中构建的故障检测电路还包括电容C、二极管D1和D2；所述二极管D1和D2串联后与所述电容C并联，所述电容C与所述电阻RA并联。