[发明专利]双基准电容外观图像检测方法

权利要求书

1.双基准电容外观图像检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：注册电容外壳待测表示面的基准图像，每个表示面分别注册深浓度基准图像和浅浓度基准图像，设定检测瑕疵量上限值；

第二步：将待测样品放置在输送装置上，启动检测装置对电容表示面进行捕获待检图像；

第三步：提取所述待检图像中比深浓度基准图像的颜色更深的部分，并将提取部分作为瑕疵，检测出瑕疵量；

第四步：提取所述待检图像中比浅浓度基准图像的颜色更浅的部分，并将提取部分作为瑕疵，检测出瑕疵量；

第五步：得出样品最大瑕疵量检测值，与瑕疵量上限值对比，并给出综合判定结果；

第六步：根据判定结果，已检样品通过筛选装置分拣存放。

2.根据权利要求1所述的双基准电容外观图像检测方法，其特征在于：第二步中的输送装置设置为环形传送带。

3.根据权利要求1所述的双基准电容外观图像检测方法，其特征在于：第二步中的检测装置包括安装在输送装置侧边和上方的CCD相机。

4.根据权利要求3所述的双基准电容外观图像检测方法，其特征在于：所述输送装置上方固定设置有照明光源。

5.根据权利要求4所述的双基准电容外观图像检测方法，其特征在于：所述CCD相机和照明光源均固定在安装支架上。

6.根据权利要求1所述的双基准电容外观图像检测方法，其特征在于：第六步中的筛选装置包括设置在输送装置一侧的不良排出机构，所述不良排出机构对应位置设置有不良品箱，所述输送装置末端设置有良品箱。