[发明专利]用于电子电离离子源的系统和方法

权利要求书

1.一种质谱仪系统，包括：

离子源，所述离子源包括：

主体，所述主体包括第一端处的限定电离体积的电离腔室、到所述电离腔室中的样品入口和第二端处的后电离体积，所述主体具有沿着源轴从所述第一端到所述第二端的长度；

电子源，所述电子源定位在所述第一端处，所述电子源包含热离子长丝和排斥极，且所述电子源被配置成用于通过所述电离腔室沿着所述源轴使电子束加速并排斥在所述电离体积中产生的离子而使其远离所述电子源；

第一透镜元件，所述第一透镜元件定位成邻近于所述第二端处的所述后电离体积；以及

第二透镜元件，所述第二透镜元件定位成邻近于所述第一透镜元件；以及控制器，所述控制器被配置成：

通过设置第二透镜电压和长丝电压以使沿着所述源轴朝向所述电子源的反向电子反射减到最少而在高稳健性模式中操作所述离子源；以及

通过设置第二透镜电压和长丝电压以产生沿着所述源轴朝向所述电子源的反向电子反射而在高灵敏度模式中操作所述离子源。

2.根据权利要求1所述的质谱仪系统，其中所述离子源进一步包含被配置成在所述电离腔室中提供轴向磁场的磁体组合件。

3.根据权利要求1所述的质谱仪系统，其中在高稳健性模式中，所述第二透镜电压比所述长丝电压具更少负性。

4.根据权利要求1所述的质谱仪系统，其中在高灵敏度模式中，所述第二透镜电压比所述长丝电压更具负性。

5.根据权利要求1所述的质谱仪系统，其中所述控制器进一步被配置成在执行全扫描时操作处于高稳健性模式中的所述离子源。

6.根据权利要求1所述的质谱仪系统，其中所述控制器进一步被配置成在分析高丰度分析物或高丰度基质时操作处于高稳健性模式中的所述离子源。

7.根据权利要求1所述的质谱仪系统，其中所述控制器进一步被配置成在执行单离子监测或单反应监测时处于高灵敏度模式中的所述离子源。

8.根据权利要求1所述的质谱仪系统，其中所述控制器进一步被配置成针对质量范围的第一子集在高稳健性模式中操作所述离子源且针对所述质量范围的第二子集在高灵敏度模式中操作所述离子源。

9.根据权利要求8所述的质谱仪系统，其中所述控制器进一步被配置成将来自所述质量范围的所述第一子集的高稳健性模式数据和来自所述质量范围的所述第二子集的高灵敏度模式数据组合到高动态范围质谱中。

10.根据权利要求1所述的质谱仪系统，其中所述控制器进一步被配置成在高稳健性模式中操作所述离子源以扫描样品的质量范围且针对所述样品中的分析物的子集在高灵敏度模式中操作所述离子源以供单离子监测或单反应监测。

11.一种分析样品的方法，包括：

将样品的至少一部分提供到离子源的电离腔室，所述离子源包含电子源，所述电子源包含热离子长丝和排斥极且被配置成用于通过所述电离腔室沿着源轴朝向透镜元件使电子束加速；

在低电子反射的条件下对所述离子源中的所述样品的组分进行电离以形成第一组电离组分；

对所述样品的所述第一组电离组分执行质量扫描；

在通过所述透镜元件使电子沿着所述轴朝向所述电子源反向反射的条件下对所述离子源中的所述样品的组分进行电离以形成第二组电离组分；以及

对所述第二组电离组分的子集执行单离子监测或单反应监测。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在低电子反射的条件下，所述透镜电压比所述长丝电压具更少负性。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在通过所述透镜元件使电子沿着所述轴朝向所述电子源反向反射的条件下，所述透镜电压比所述长丝电压更具负性。