[发明专利]一种新型电平移位器电路

权利要求书

1.一种新型电平移位器电路，包括：

低压输入信号端，输入信号将连接到该低压输入信号端；高压输出信号端，电压提升后的输出信号从该端口输出；

存在两个供电电压，分别是低压区电压和高压区电压，其中低压区电压的电压值小于高压区供电的电压值；

输入反相器，具有输入端和输出端，其中所述低压输入信号端和所述输入反相器的输入端连接，所述输入反相器由低压区电压进行供电；

输出反相器，具有输入端和输出端，其中所述高压输出信号端和所述输出反相器的输出端连接，所述输出反相器由高压区电压供电；

第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管，第四PMOS管，第五PMOS管。

2.如权利要求1所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述第一NMOS管的栅极和输入反相器的输出端相连，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第四NMOS管的源极均接地，所述第一PMOS管、所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的源极和所述高压区电压相连。

3.如权利要求1所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述第二NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极与所述低压输入信号端相连。

4.如权利要求1所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述第一NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极相连。

5.如权利要求1所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极相连。

6.如权利要求1所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述第三PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的栅极和所述输出反相器的输入端相连。

7.如权利要求1所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述第四PMOS管的栅极、所述第五PMOS管的栅极、所述第五PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极相连。

8.如权利要求1所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二NMOS管构成虚拟电流镜；所述第四PMOS管、所述第五PMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管构成辅助电流镜。

9.如权利要求8所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述虚拟电流镜特征在于，在所述低压输入信号为逻辑0时，所述虚拟电流镜能够将所述输出反相器的输入端充电到具有和所述高压区电压相同的幅值，避免在所述输出反相器的输入端上出现电压降现象。

10.如权利要求8所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述虚拟电流镜特征在于，在所述低压输入信号为逻辑0时，所述第一PMOS管的漏极电位以及所述第三PMOS的栅极电位都将逐步降低。并在所述输出反相器的输入端充电到具有和高压区电压相同的幅值时，通过所述第一PMOS管和所述第二NMOS管截断所述虚拟电流镜的静态电流。

11.如权利要求8所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述辅助电流镜特征在于，在所述低压输入信号为逻辑1时，能够对所述第三PMOS管的栅极进行充电，截断所述第三PMOS管对所述输出反相器输入端的充电电流，从而辅助所述第二NMOS管完成对所述输出反相器的输入端的电荷泄放。

12.如权利要求11所述的新型电平移位器电路，其特征在于，所述辅助电流镜特征在于，当且仅当所述输入低压信号为逻辑1，且所述输出反相器的输入端为逻辑1时，才将对所述第三PMOS管的栅极进行充电；当所述第二NMOS管完成对所述输出反相器的输入端的放电工作后，通过所述第三NMOS管，截断所述辅助电流镜的静态电流，停止对所述第三PMOS管的栅极的充电。