[发明专利]基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元及存储器

权利要求书

1.一种基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元，其特征在于：包括呈差分对称结构的第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元和第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元，所述第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元包括串联的PMOS晶体管MP1和熔丝R1且熔丝R1的一端与PMOS晶体管MP1的漏极相连，所述第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元包括PMOS晶体管MP2和熔丝R2且熔丝R2的一端与PMOS晶体管MP2的漏极相连，所述PMOS晶体管MP1和MP2的栅极作为存储单元的两根字线，所述PMOS晶体管MP1和MP2的源极作为存储单元的两根源线，所述熔丝R1和R2的另一端作为存储单元的两根位线，所述第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元和第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元上接源线SL控制电路模块，所述第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元和第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元下接位线BL控制电路模块和灵敏放大电路模块；

还包括一跨接在两根字线的公共端以及两根源线的公共端之间的NBTI恢复电路。

2.根据权利要求1所述的基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元，其特征在于：所述NBTI恢复电路包括晶体管MM0、MM1、MM2和MM3以及反相器IV0和IV1，

所述晶体管MM0的源极连接GND，栅极连接使能信号EN，漏极连接存储单元的两根源线，衬底连接GND；

所述晶体管MM1的源极连接VDD，栅极连接控制信号ENB，漏极连接存储单元的两根字线，衬底连接VDD；

所述晶体管MM2的源极连接Vsg端，漏极连接存储单元的两根字线，栅极连接使能信号EN，衬底连接VDD；

所述晶体管MM3的预算及连接晶体管MM2的源极，漏极连接晶体管MM2的漏极，栅极连接反相器IV1的输出端，衬底连接GND；

所述反相器IV0的输入端连接使能信号EN，输出端连接控制信号ENB；

所述反相器IV1的输入端连接使能信号EN。

3.根据权利要求2所述的基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元，其特征在于：所述晶体管MM0和MM3为NMOS管，所述晶体管MM1和MM2为PMOS管。

4.根据权利要求1所述的基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元，其特征在于：所述源线SL控制电路模块包括第一编译码电路，所述第一编译码电路通过地址信号控制，并提供电源；

所述位线BL控制电路放大模块包括第二编译码电路，并提供电压信号；

所述灵敏放大电路模块用于读取数据。

5.一种基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储器，其特征在于：其包括NBTI恢复电路、BUF电路以及复数个并列的存储模块，每个所述存储模块中包含复数个如权利要求1~4所述的存储单元，所述NBTI恢复电路经BUF电路分别跨接在各存储单元的两根字线的公共端以及两根源线的公共端之间。