[发明专利]用于载波聚集的低噪声放大器有效
申请号: | 201810259456.8 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN108199693B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | A·M·塔希奇;A·B·戴维瓦拉 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/72 | 分类号: | H03F3/72;H03F1/22;H03F3/193;H03F3/68;H03G3/20;H04L27/26 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 周敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 载波 聚集 低噪声放大器 | ||
1.一种用于低噪声放大器的装备,包括:
第一放大器级,被配置用于在所述第一放大器级被启用时,接收并放大输入射频信号并向第一负载电路提供第一输出射频信号,所述输入射频信号包括在处于不同频率的多个载波上被发送到无线装置的传输;
第二放大器级,被配置用于在所述第二放大器级被启用时,接收并放大所述输入射频信号并向第二负载电路提供第二输出射频信号;以及
输入匹配电路,所述输入匹配电路被耦合到所述第一和第二放大器级并被配置用于接收接收机输入信号并提供所述输入射频信号,
其中所述第一放大器级包括第一增益晶体管和耦合至所述第一增益晶体管的第一衰退电感器,所述第二放大器级包括第二增益晶体管和耦合至所述第二增益晶体管的第二衰退电感器,并且所述输入射频信号被提供给所述第一和第二增益晶体管两者。
2.如权利要求1所述的装备,其中,所述第一放大器级进一步包括直接连接到所述第一增益晶体管的第一共源共栅晶体管,所述第二放大器级包括直接连接到所述第二增益晶体管的第二共源共栅晶体管。
3.如权利要求1所述的装备,其中,所述输入匹配电路为可调谐并包括至少一个可调电路组件。
4.如权利要求2所述的装备,其中,所述第一和第二增益晶体管具有耦合至电路接地的源极。
5.如权利要求2所述的装备,其中,所述第一和第二放大器级以第一模式提供所述第一和第二输出射频信号,并以第二模式提供所述第一输出射频信号但不提供所述第二输出射频信号,所述第一和第二共源共栅晶体管以所述第一模式被启用,而所述第一和第二共源共栅晶体管中仅一者以所述第二模式被启用。
6.权利要求5所述的装备,其中,所述输入射频信号以所述第一模式和所述第二模式两者应用于所述第一和第二增益晶体管,并且所述第一和第二增益晶体管之一在饱和区中操作,而所述第一和第二增益晶体管中的另一个以所述第二模式在线性区中操作。
7.如权利要求1所述的装备,进一步包括:
耦合在所述第一和第二放大器级中的至少一者的输出与输入之间的反馈电路。
8.权利要求7所述的装备,其中,所述反馈电路包括电阻器、或电容器、或电阻器和电容器两者。
9.如权利要求1所述的装备,进一步包括:
耦合至所述第一放大器级并被配置用于接收所述输入射频信号的第一衰减电路;以及
耦合至所述第二放大器级并被配置用于接收所述输入射频信号的第二衰减电路。
10.如权利要求1所述的装备,进一步包括:
耦合至所述第一和第二放大器级并被配置用于接收所述输入射频信号的衰减电路。
11.如权利要求1所述的装备,其中,进一步包括:
第三放大器级,被配置用于在所述第三放大器级被启用时,接收并放大第二输入射频信号并向所述第一负载电路提供所述第一输出射频信号;以及
第四放大器级,被配置用于在所述第四放大器级被启用时,接收并放大所述第二输入射频信号并向所述第二负载电路提供所述第二输出射频信号。
12.如权利要求11所述的装备,其中,所述第三放大器级包括耦合到所述第一衰退电感器的第三增益晶体管,并且其中所述第四放大器级包括耦合到所述第二衰退电感器的第四增益晶体管。
13.如权利要求11所述的装备,其中,所述第三放大器级包括耦合到第三衰退电感器的第三增益晶体管,并且其中所述第四放大器级包括耦合到第四衰退电感器的第四增益晶体管。
14.如权利要求1所述的装备,其中,在所述第一放大器级被启用时,控制信号选择性地启用所述第二放大器级。
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