[发明专利]提高MST驱动器传输效率的方法及用于其的驱动器装置有效

专利信息
申请号: 201810259880.2 申请日: 2018-03-27
公开(公告)号: CN108736719B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 林智洙;楚大烈;金炳熹;李真宇;李龙熙 申请(专利权)人: 瑞尼斯股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M3/157
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 赵瀛;王漪
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 提高 mst 驱动器 传输 效率 方法 用于 装置
【说明书】:

提供一种方法,当流经MST线圈的电流大于预先决定的值时,使得驱动所述MST线圈的全桥电路无法提供电流,从而与供应给所述全桥电路的电压大小无关地限制通过所述MST线圈流动的电流量。

技术领域

发明涉及驱动MST线圈的MST驱动器电子装置,特别是涉及限制流经MST线圈的电流大小的技术。

背景技术

在移动电话中,构成利用MST(Magnetic stripe Transmission,磁条传输)传递信息的TX(Transmitter,发射器)的开关的连接形状,具有桥连结构的形态。通过调节所述开关的开启/关闭,调节流经MST线圈的线圈电流的方向及持续时间。

图1是根据以往技术显示流经MST线圈的线圈电流与RX装置接收的感知电压的关系的时序图。

在图1的(a)、(b)中,图表511、512的纵轴代表相应图表显示的物理量大小,横轴代表时间。图1的(a)所示的图表511显示通过电感器,即通过所述MST线圈流动的线圈电流,图1的(b)所示的图表512显示根据MST接收器的检测头检测的信号而从所述检测头输出的电压。

根据以往的方式,如图1的(a)所示,通过MST线圈流动的线圈电流由上升区域(RT,rise time)、下降区域(FT,falling time)及常数区域(DC成分,DCT)构成。

在RX(Receiver,接收器)中,如图1的(b)所示,检测去除了所述DC成分的波形并判读信息。所述线圈电流具有常数值的区域(DCT)实质上无法对RX的检测值产生有益影响。图1的(b)所示的图表512的大小会与图1的(a)所示图表511大小的时间上的微分值成比例。因此,需要通过所述MST线圈流动的线圈电流的大小变化急剧的时间区间,在所述变化急剧的时间区间之间,需要没有所述线圈电流大小变化或变化缓慢。

图2显示了以往技术的包括MST线圈及MST线圈驱动器的电路。

图3显示了图2所示电路各节点的电压及线圈电流相关值的时序图。图3的横轴为时间轴。

图3的(a)显示了输入于作为所述MST线圈驱动器输入节点的节点AIN、BIN的电压,在图3的(a)的图表中,提示出与逻辑高电平及逻辑低电平对应的数字电压值。

图3的(b)显示了从作为所述MST线圈驱动器输入节点的节点AOUT、BOUT输出的电压,在图3的(b)的图表中,提示出模拟电压值。

在图3的(c)中,图示了关于通过图2的MST线圈(L1)流动的线圈电流(Icoil)的电流大小。图3的图表是根据MOSFET(场效应晶体管)M1、M2、M3及M4的开启/关闭状态而提示的。在图3中,当MOSFET(场效应晶体管)M1、M4为开启状态时,MOSFET(场效应晶体管)M2、M3为关闭状态,当MOSFET(场效应晶体管)M1、M4为关闭状态时,MOSFET(场效应晶体管)M2、M3为开启状态。在图3中记载为Forward(向前)的区间,MOSFET(场效应晶体管)M1、M4为开启状态,MOSFET(场效应晶体管)M2、M3为关闭状态。而且,在图3中记载为reverse(倒转)的区间,MOSFET(场效应晶体管)M1、M4为关闭状态,MOSFET(场效应晶体管)M2、M3为开启状态。

在图3中记载为“Forward(向前)”的时间区间的线圈电流流动,沿着VM→M1→L1→M4的路径进行,在记载为“Reverse(倒转)”的时间区间的线圈电流流动沿着VM→M3→L1→M2的路径进行。

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