[发明专利]一种控制电路、功率放大电路及控制方法

说明书

本发明公开了一种控制电路，应用于功率放大电路，所述功率放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管；所述第三晶体管经由电感与供电电源直接相连；所述控制电路包括：波形整形电路，用于利用功率放大电路的基准电压控制信号产生第一电流，将第一电流与参考电流值进行比较，得到第二电流；利用所述第二电流产生镜像电流，再利用镜像电流得到第一栅极电压；所述第一栅极电压用于第二晶体管控制第一晶体管对输入信号进行放大得到输出信号；电压生成电路，用于利用所述第一栅极电压生成第二栅极电压，并利用所述第二栅极电压控制第三晶体管输出满足稳定输出特性的所述输出信号。本发明同时还公开了一种功率放大电路以及控制方法。

技术领域

本发明涉及功率放大电路，尤其涉及一种控制电路、功率放大电路及控制方法。

背景技术

目前，随着绝缘衬底上的硅(SOI，Silicon On Insulator)工艺越来越成熟，利用SOI工艺实现射频功率放大器(PA，Power Amplifier)越来越具备成本优势。全球移动通信系统(GSM，Global System for Mobile Communication)功率放大器属于射频功率放大器的一种，在现有常用的GSM射频功率放大器的功率控制电路中，通常，基准控制电压VRAMP通过低压差稳压器(LDO，Low DropOut regulator)对GSM射频功率放大器的集电极电压进行控制，进而实现对GSM射频功率放大器输出功率的控制，LDO包括误差放大器和功率晶体管。

但是，目前通过LDO实现对GSM射频功率放大器输出功率的控制，由于实现LDO的功率晶体管会产生电压降，致使GSM射频功率放大器的集电极电压Vout总小于电源电压VBAT，进而减小了GSM射频功率放大器的最大输出功率，降低了GSM射频功率放大器的效率。

目前，需要找到一种提高射频功率放大器的最大输出功率和效率的技术方案。

发明内容

为解决现有存在的技术问题，本发明实施例提供一种控制电路、功率放大电路及控制方法。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供一种控制电路，应用于功率放大电路，所述功率放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管；所述第三晶体管经由电感与供电电源直接相连；所述控制电路包括：

波形整形电路，用于利用功率放大电路的基准电压控制信号产生第一电流，将第一电流与参考电流值进行比较，得到第二电流；利用所述第二电流产生镜像电流，再利用镜像电流得到第一栅极电压；所述第一栅极电压用于第二晶体管控制第一晶体管对输入信号进行放大得到输出信号；

电压生成电路，用于利用所述第一栅极电压生成第二栅极电压，并利用所述第二栅极电压控制第三晶体管输出满足稳定输出特性的所述输出信号。

上述方案中，所述电压生成电路，具体用于利用所述第一栅极电压以及至少一个电阻和一个电流源，生成至少一个第二栅极电压；每个第二栅极电压控制一个第三晶体管并输出满足稳定输出特性的所述输出信号。

上述方案中，所述电流源为恒定电流源，或者与供电电源成负相关的压控电流源。

本发明实施例提供一种功率放大电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、控制电路；其中，

所述第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极相连；所述第三晶体管的漏极经由电感与供电电源直接相连；

所述第二晶体管，用于控制第一晶体管对功率放大电路的输入信号进行放大得到输出信号，并向第三晶体管输出所述输出信号；