[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板的制备方法及封装材料在审
申请号: | 201810260528.0 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108516836A | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 董小琳;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 董小琳 |
主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B37/02;C04B35/626;C04B41/87 |
代理公司: | 福州科扬专利事务所 35001 | 代理人: | 林朝熙 |
地址: | 350013 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化铝陶瓷基板 封装材料 烧结浆料 氮化硼 混合溶液 烧结助剂 氮化铝 流延带 改性 制备 致密 氮化铝基板 氮化硼粉体 立方氮化硼 六方氮化硼 真空脱泡机 第二溶剂 第一溶剂 高速处理 混料设备 均匀致密 陶瓷材料 脱泡处理 烧结 研磨 超细粉 改性剂 高导热 流延机 砂磨机 粘接剂 层压 冲切 排胶 破碎 帮助 | ||
1.一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:将氮化硼粉体和改性剂分散在第一溶剂中,得到氮化硼混合溶液,再将混合溶液倒入砂磨机中,高速处理后,干燥破碎研磨后得到改性氮化硼;
步骤二:将氮化铝超细粉、改性氮化硼、烧结助剂、粘接剂以及第二溶剂通过高分子混料设备混合均匀后得到烧结浆料;
步骤三:将步骤二的烧结浆料经过真空脱泡机脱泡处理后,通过流延机,得到一定厚度的流延带;
步骤四:将步骤三的流延带经冲切、层压、排胶和烧结后得到致密的氮化铝陶瓷基板。
2.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,步骤一中所述改性剂为氨硼烷。
3.根据权利要求2所述的一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,步骤一中所述氨硼烷与氮化硼的比例为(1~5):1。
4.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,步骤一中所述砂磨机处理的时间为30~60min。
5.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,步骤一中所述第一溶剂为乙醇、丙醇、丁醇、乙酸乙酯中的一种或两种以上的混合物。
6.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,步骤一中所述砂磨机高速处理转速为700~1200rpm。
7.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,步骤二中所述氮化铝超细粉的尺寸低于3μm。
8.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,步骤二中所述烧结助剂为多元烧结助剂,为Y2O3-CaO、Y2O3-CaF2、YF3-CaF2、Y2O3-CaO-Li2O和 Y2O3-CaO-Li2O3中的一种或两种以上的混合物。
9.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,步骤二中所述粘接剂为聚乙醇缩丁醛、聚乙二醇或聚氨酯。
10.一种封装材料,采用如权利要求1~9任一项所述氮化铝陶瓷基板制得,其特征在于,将所述氮化铝陶瓷基板用等离子体处理其表面,然后将铜箔贴于所述氮化铝陶瓷基板上,经过1000~1100℃处理后得到所需封装材料。
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