[发明专利]一种平整阻挡型TFT阳极氧化铝绝缘层的制备方法有效
| 申请号： | 201810261495.1 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108505051B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈文彬;陈赞 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C25D11/06;H01L21/28 |
| 代理公司： | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 薄膜 弱酸性电解液 阳极氧化过程 阳极氧化铝 平整 过氧化钙 氮化钙 氮化镁 硫化钙 硫化镁 氧化钙 氧化镁 阻挡 纯铝 溅射 铝膜 制备 阳极氧化铝薄膜 纳米结构材料 天然氧化铝 磁控溅射 碱性物质 空气接触 水解反应 真空条件 非晶态 溶解 | ||
1.一种平整阻挡型TFT阳极氧化铝绝缘层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1.将玻璃基片放入磁控溅射真空腔内，并装入铝靶材、作为靶材1，装入氮化镁、硫化镁、氧化镁、氧化钙、过氧化钙、氮化钙或硫化钙靶材、作为靶材2，然后进行抽真空，使真空腔内真空度达到1.1×10-3Pa以下；
步骤2.采用磁控溅射法镀制铝膜：打开靶材1开关，在工作压强为1.1～1.5Pa、本底真空度要求在1.1×10-5～1.1×10-3Pa、溅射功率为80～160W、氩气气体流量为10～40sccm条件下，预溅射4～6min后，溅射20～30min，在基片表面制备得一层铝膜；
步骤3.铝膜制备完成后，保持磁控溅射真空腔舱门关闭，关闭靶材1，将玻璃基片旋转至靶材2上方，待基片冷却后，打开靶材2开关，在工作压强为1.1～1.5Pa、本底真空度要求在1.1×10-5～1.1×10-3Pa、溅射功率为80～160W、氩气气体流量为10～50sccm条件下，预溅射4～6min后，溅射3～5min，在铝膜表面相应形成一层氮化镁、硫化镁、氧化镁、氧化钙、过氧化钙、氮化钙或硫化钙保护膜；
步骤4.取出基片，将基片作为阳极、与作为阴极的石墨一起放入浓度为1～5mol/L的pH＝5～7的电解溶液中，在电压为20V～100V、恒定电流0.01mA～1mA、温度为10℃～30℃条件下进行阳极氧化2～4h，制得阻挡型阳极氧化铝TFT绝缘层。
2.按权利要求1所述平整阻挡型TFT阳极氧化铝绝缘层的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，弱酸性或中性电解溶液采用硼酸、酒石酸、硼酸铵溶液、酒石酸铵溶液、柠檬酸、苹果酸或乙二醇酸。
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