[发明专利]一种低应力致密涂层的制备方法

权利要求书

1.一种低应力致密涂层制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

步骤一.将工件清洗干净，放入真空室抽真空至6X10^-4Pa以上，通入惰性气体氩气，偏压为-800V至-1000V，刻蚀所述工件表面10分钟-60分钟；

步骤二.通入惰性气体氩气，溅射中间层Ti或Cr，厚度100nm-500nm；

步骤三.通入氩氪、氩氙、氪氙或氩氪氙惰性气体的混合气体，溅射所需沉积涂层。

2.根据权利要求1所述的一种低应力致密涂层制备方法，其特征在于，所述的所需沉积涂层是氧化物、氮化物或碳化物的陶瓷类涂层，还需相应通入反应类气体，如氧气、氮气、甲烷等。

3.根据权利要求1所述的一种低应力致密涂层制备方法，其特征在于，所述的所需沉积涂层成分含有Ti、Zn、Y、Ca、Sc、Sr或稀土元素的涂层溅射，氩气含量范围为0％-20％，氪气含量范围为0％-20％，氙气含量范围为60％-100％。

4.根据权利要求1所述的一种低应力致密涂层制备方法，其特征在于，所述的所需沉积涂层成分含有Mg、V、Cr、Mn、Nb、Tc或Sn的溅射沉积过程，氩气含量范围为0％-20％，氪气含量范围为20％-100％，氙气含量范围为1％-100％。

5.根据权利要求1所述的一种低应力致密涂层制备方法，其特征在于，所述的所需沉积涂层中无Ti、Zn、Y、Ca、Sc、Sr、Mg、V、Cr、Mn、Nb、Tc、Sn或稀土元素的涂层，氩气含量范围为60％-99％，氪气含量范围为1％-20％，氙气含量范围为0％-20％。

6.根据权利要求1所述的一种低应力致密涂层制备方法，其特征在于，所述的在溅射沉积涂层过程中，气体离化率应大于10％，偏压范围为-10V至-50V。