[发明专利]一种TDD-LTE信号下行自激检测方法及系统在审
申请号: | 201810261995.5 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108599875A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 赵栋;麻艳;黄利;吴建建;苏宇杰 | 申请(专利权)人: | 广州杰赛科技股份有限公司 |
主分类号: | H04B17/10 | 分类号: | H04B17/10;H04B1/525 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 梁顺宜;郝传鑫 |
地址: | 510310 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 下行信号 自激检测 电压模拟信号 下行射频 下行 关闭控制信号 电源电路 开关模块 控制连接 控制信号 切断电路 射频开关 输出控制 预设功率 自身设备 最小功率 自激 断开 电路 电源 传输 输出 通信 | ||
1.一种TDD-LTE信号下行自激检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD-LTE下行信号,并根据所述第一TDD-LTE下行信号输出第一电压模拟信号;
将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号的最小功率与预设功率阈值进行比较,以输出控制信号;
当所述控制信号为关闭控制信号时,控制连接电源电路的开关模块断开,以关闭所述下行射频模块的电源。
2.根据权利要求1所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法,其特征在于,所述将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号的最小功率与预设功率阈值进行比较,以输出控制信号,具体包括:
根据接收的所述第一电压模拟信号采样所述第一TDD-LTE下行信号的功率;其中,采样间隔设为T,T<20.3μs,采样时间为10ms;
获取采样的所述第一TDD-LTE下行信号的功率中的最小功率;
当所述最小功率与预设功率阈值的差值大于0时,输出关闭控制信号。
3.根据权利要求2所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法,其特征在于,所述预设功率阈值的设置包括:
在信号满格宝安装并调试成功,并在确保数据流量正常时:
获取下行射频模块向所述第一射频开关传输的第二TDD-LTE下行信号,并根据所述第二TDD-LTE下行信号输出第二电压模拟信号;
根据接收的所述第二电压模拟信号采样所述第二TDD-LTE下行信号的功率;其中,采样间隔设为T,T<20.3μs,采样时间为10ms;
将采样的所述第二TDD-LTE下行信号的功率中的最大功率设置为预设功率阈值。
4.根据权利要求2所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法,其特征在于,还包括:
接收调制解调器传输的下行切换信号,并根据所述下行切换信号切换所述第一射频开关与第二射频开关,以切换到所述下行射频模块;
获取通过所述第二射频开关传输的所述第三TDD-LTE下行信号,通过所述下行射频模块对所述第三TDD-LTE下行信号进行射频信号处理,以生成所述第一TDD-LTE下行信号。
5.根据权利要求4所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法,其特征在于,还包括:
接收所述调制解调器传输的上行切换信号,并根据所述上行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关,以切换到上行射频模块;
获取通过所述第一射频开关传输的第一TDD-LTE上行信号,通过上行射频模块对所述第一TDD-LTE上行信号进行射频信号处理,以生成第二TDD-LTE上行信号;
通过所述上行射频模块将所述第二TDD-LTE上行信号发送给第二射频开关;
则所述当所述控制信号为关闭控制信号时,控制连接电源电路的开关模块断开,以关闭所述下行射频模块的电源,具体为:
当所述控制信号为关闭控制信号时,控制连接电源电路的开关模块断开,以关闭所述下行射频模块及所述上行射频模块的电源。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法,其特征在于,所述开关模块为功率MOS场效应晶体管。
7.根据权利要求6所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法,其特征在于,所述电源电路包括开关电源电路、稳压电源电路、稳流电源电路、功率电源电路、逆变电源电路、DC-DC电源电路及保护电源电路中的任意一种。
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