[发明专利]基于霍尔效应的微波功率传感器在审
| 申请号： | 201810262667.7 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108594006A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 戴瑞萍;陆颢瓒;张焕卿;王德波 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G01R21/08 | 分类号： | G01R21/08 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共面波导传输线 微波功率传感器 电感电路 霍尔效应 砷化镓 衬底 电感 中心信号线 驱动电路 微波信号 在线测量 灵敏度 地线 受控 检测 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于霍尔效应的微波功率传感器，其特征在于：由砷化镓衬底、共面波导传输线和电感电路组成，所述共面波导传输线设置在砷化镓衬底上，所述共面波导传输线由中心信号线（1）和地线（2）组成，所述电感电路位于共面波导传输线正上方和正下方，所述电感电路由受控驱动电路（5）和电感（6）组成。
2.根据权利要求1所述的基于霍尔效应的微波功率传感器，其特征在于：所述地线（2）设置在中心信号线（1）两侧，所述中心信号线（1）两侧镀有绝缘体二氧化硅（3），所述二氧化硅（3）的两侧镀有金属作为电压测试电极（4）。
3.根据权利要求2所述的基于霍尔效应的微波功率传感器，其特征在于：传感器整体采用的PoP叠层封装工艺，传感器封装在中间层，两个电感电路分别封装在最上层和最下层，位于传感器的正上方和正下方，绝缘层二氧化硅位于电感电路与传感器之间。
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