[发明专利]一种含铝材料的ICP刻蚀方法

权利要求书

1.一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）提供含铝材料的半导体芯片，并对半导体芯片的表面进行清洗；

2）采用化学气相沉积CVD方法在半导体芯片表面上生长一层掩膜层，所述掩膜层为SiO₂或SiN_x；

3）在上述掩膜层上涂覆光刻胶，并且制作出待刻蚀图形；

4）采用RIE刻蚀掩膜层；

5）去除RIE刻蚀后掩膜层表面的光刻胶；

6）将经步骤5）处理后的半导体芯片放入ICP刻蚀设备中进行ICP刻蚀；

ICP刻蚀的刻蚀条件为：刻蚀温度为20~60℃，刻蚀功率为1000~1500W，射频功率为50~200W，腔体压力为2~8mTorr，刻蚀气体为Cl₂、H₂、CH₄的混合气体。

2.如权利要求1所述的一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于：所述步骤6）中刻蚀气体中Cl₂的气体流量为5-15sccm，H₂的气体流量为15-25sccm，CH₄的气体流量为5-15sccm。

3.如权利要求1所述的一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于：所述步骤6）中刻蚀气体中Cl₂、H₂、CH₄的气体流量比为1:2:1。

4.如权利要求1所述的一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于：所述步骤6）中的ICP刻蚀完成后，半导体芯片表面的掩膜层的厚度不小于100nm。

5.如权利要求1所述的一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3）的具体步骤为：对带有掩膜层的半导体芯片进行匀胶、烘烤、曝光、显影、后烘，制作出待刻蚀图形。

6.如权利要求1所述的一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于：所述步骤5）中采用去胶液、KOH溶液或丙酮去除掩膜层表面的光刻胶。

7.如权利要求1所述的一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于：所述步骤1）中采用缓冲氧化物刻蚀液、稀氢氟酸溶液或者稀盐酸溶液对半导体芯片的表面进行清洗，清洗完成后立即下一步。

8.如权利要求1所述的一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于：在ICP刻蚀前，对ICP刻蚀设备的腔体进行清洁。

9.如权利要求1所述的一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于：所述步骤6）中ICP刻蚀的刻蚀速度为0.45μm/min。

10.如权利要求1所述的一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于：所述步骤6）中的ICP刻蚀完成后，半导体芯片表面的掩膜层的厚度为250nm-300nm。