[发明专利]蚀刻方法以及记录介质

权利要求书

1.一种氧化硅膜的蚀刻方法，是基板上的氧化硅膜的蚀刻方法，其特征在于，包括：

第一变质工序，向所述氧化硅膜的表面供给含有碱性气体和包含卤族元素的气体的混合气体，使所述氧化硅膜与所述混合气体发生化学反应，从而使所述氧化硅膜变质而生成包含水分的反应生成物；

第二变质工序，向所述氧化硅膜与所述反应生成物的界面供给所述包含卤族元素的气体，利用所述反应生成物中包含的水分来使所述氧化硅膜与所述包含卤族元素的气体发生化学反应，从而使所述氧化硅膜变质而生成其它反应生成物；以及

加热工序，在所述第二变质工序之后，对所述反应生成物和所述其它反应生成物进行加热来去除它们，

从所述第一变质工序开始起到所述第二变质工序结束为止使进行变质的腔室内的压力恒定。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述包含卤族元素的气体为氟化氢，所述碱性气体为氨气。

3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述其它反应生成物为氟硅酸。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述氧化硅膜形成于形成在所述基板上的槽的底部。

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述氧化硅膜构成所述槽的底壁。

6.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述氧化硅膜构成所述槽的底部的侧壁。

7.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述氧化硅膜包括构成所述槽的底壁的氧化硅膜和构成所述槽的底部的侧壁的氧化硅膜。

8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，

构成所述槽的底壁的氧化硅膜与构成所述槽的底部的侧壁的氧化硅膜的种类不同。

9.一种记录介质，记录有能够由处理系统的控制计算机执行的程序，所述记录介质的特征在于，

所述程序通过由所述控制计算机执行，使所述处理系统进行根据权利要求1至8中的任一项所述的蚀刻方法。