[发明专利]半导体装置

说明书

本发明涉及半导体装置。提供抑制了沟槽延伸设置方向的沟道形成密度的降低的半导体装置。在具有第一高度的第一表面和第二高度的第二表面的半导体基板中，具备：设置在背面的背面半导体电极层；在背面半导体电极层之上形成的基极区域；具有从第一表面和第二表面到达背面半导体电极层的上表面的深度的沟槽；覆盖沟槽的内侧的栅极绝缘膜；埋入到第三高度的栅极电极；设置在栅极电极上的绝缘膜；以及在沟槽的延伸设置方向上交替地配置的、具有第一表面且形成有基极接触区域的第一区域和具有第二表面且形成有源极区域的第二区域。

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别是涉及具有具备沟槽栅的纵向晶体管的半导体装置。

背景技术

作为以往的纵向晶体管之一，例如如专利文献1所示那样提出了采用了如下结构的纵向MOSFET：仅在形成于基板的沟槽内的下部设置栅极电极，在沟槽内上部埋入将源极电极与栅极电极绝缘的绝缘膜且其上表面形成为与基板表面形成大致同一平面，在该平面上形成源极电极。由此，不需要在将栅极电极埋入到沟槽上部且将绝缘膜形成在基板表面上的情况下所需要的、在绝缘膜之上形成的源极电极以及用于将基板表面的源极区域和基极接触区域连接的接触开口，由此，能够缩小相邻的沟槽间隔，使装置的横向上的尺寸变小。

进而，在专利文献1（特别是参照图2、5）中，公开了也能够通过沿着条纹状的沟槽在基板表面交替地配置源极区域和基极接触区域来缩小相邻的沟槽的间隔来使装置的横向尺寸进一步变小。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-101027号公报。

发明要解决的课题

在专利文献1所公开的、交替地配置源极区域和基极接触区域的构造中，在基极接触区域中不会形成沟道，因此，为了使晶体管的沟槽延伸设置方向的沟道形成密度高，需要使沟槽延伸设置方向的基极接触区域的宽度（以后，在此所说的宽度为沟槽延伸设置方向的长度）窄。可是，由发明者发现了：如图16（在该图中，省略了最上侧表面的源极电极）所示那样，在这样的构造中在源极区域507与基极接触区域509之间的结附近由于掩模对准偏离或热扩散形成了实质的杂质浓度降低而成为高电阻的不确定区域530。该不确定区域530使源极区域507和基极接触区域509的宽度变窄。因此，关于源极区域507和基极接触区域509，考虑该不确定区域530的产生需要预先将宽度设定得宽，难以使装置的沟槽延伸设置方向的尺寸小来抑制沟槽延伸设置方向的沟道形成密度的降低。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种使装置的沟槽延伸设置方向的尺寸变小而能够抑制沟槽延伸设置方向的沟道形成密度的降低的半导体装置。

用于解决课题的方案

为了解决上述的课题，因此，本发明采用以下那样的半导体装置。