[发明专利]基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件有效
| 申请号： | 201810264358.3 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108470825B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 白飞明;姜建利;彭超逸;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L41/20 | 分类号： | H01L41/20;H01L41/316;H01L41/09 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁致伸缩 衬底 表面波器件 泊松比 压电薄膜 磁致伸缩材料 工作中心频率 器件技术领域 声表面波波长 叉指换能器 频率计数器 测试中心 磁场探测 电子信息 功能材料 毫米级别 灵敏度 块材 取向 磁场 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件，包括磁致伸缩衬底、压电薄膜和叉指换能器，其特征在于，所述磁致伸缩衬底为具有负泊松比和拉胀效应的Fe1-xGax、Fe1-yAly或Ni1-zAlz磁致伸缩合金块材，其厚度大于2倍声表面波波长，其中，x＝0.12～0.33，y＝0.12～0.4，z＝0.041～0.125。
2.根据权利要求1所述的基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件，其特征在于，所述压电薄膜为AlN、ScAlN或GaN，其厚度为0.4～4μm。
3.根据权利要求1所述的基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件，其特征在于，所述磁致伸缩衬底的表面粗糙度小于5nm。
4.根据权利要求1所述的基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件，其特征在于，所述叉指换能器为单端口叉指换能器或者双端口叉指换能器。
5.权利要求1至4中任一项所述磁电声表面波器件在磁场传感器，或者磁场调谐的声表面波滤波器、谐振器、延迟线中的应用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810264358.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
