[发明专利]用于暴露到极紫外光的护膜以及光刻系统

权利要求书

1.一种用于极紫外光曝光的护膜，其特征在于，所述护膜包括：

护膜膜片，包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述硼系增强层覆盖所述第一表面与所述第二表面中的至少一者；以及

框架，贴合到所述护膜膜片，

其中，跨越所述硼系增强层与所述碳系主层之间的界面存在碳浓度的变化。

2.根据权利要求1所述的护膜，其特征在于，所述硼系增强层包含选自元素硼、B₄C、氧化硼及氮化硼中的至少一者。

3.根据权利要求2所述的护膜，其特征在于，所述硼系增强层包括其中由元素硼形成的层与由B₄C形成的层堆叠在一起的结构。

4.根据权利要求3所述的护膜，其特征在于，所述由B₄C形成的层与所述由元素硼形成的层以所述由B₄C形成的层到所述由元素硼形成的层的次序依序堆叠在所述碳系主层上。

5.根据权利要求3所述的护膜，其特征在于，跨越所述由B₄C形成的层与所述由元素硼形成的层之间的界面存在硼浓度的变化，且所述硼浓度在远离所述碳系主层的中心的方向上增大。

6.根据权利要求1所述的护膜，其特征在于，所述碳浓度在朝向所述碳系主层的方向上增大。

7.根据权利要求2所述的护膜，其特征在于，所述硼系增强层是由B₄C形成的层。

8.根据权利要求1所述的护膜，其特征在于，所述碳系主层包括sp2键及sp3键，其中所述sp3键的数量比所述sp2键的数量至少多10倍，或者所述碳系主层只包括sp2键。

9.根据权利要求1所述的护膜，其特征在于，所述碳系主层包含石墨烯、石墨或碳纳米管。

10.根据权利要求1所述的护膜，其特征在于，所述碳系主层的厚度范围为10nm到100nm。

11.根据权利要求1所述的护膜，其特征在于，所述硼系增强层的厚度范围为1nm到10nm。

12.根据权利要求1所述的护膜，其特征在于，所述第二表面面对所述框架，且所述硼系增强层只位于所述第一表面上。

13.根据权利要求1所述的护膜，其特征在于，所述硼系增强层位于所述第一表面上及所述第二表面上。

14.一种用于极紫外光的护膜，其特征在于，所述护膜包括：

护膜膜片，包括：

碳系主层，所述碳系主层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

氢等离子体耐受性化学增强层，所述氢等离子体耐受性化学增强层覆盖所述第一表面与所述第二表面中的至少一者；以及

混合层，存在于跨越所述碳系主层与所述氢等离子体耐受性化学增强层之间的界面上，且所述混合层包含源自于所述碳系主层的组分及源自于所述氢等离子体耐受性化学增强层的组分；以及

框架，贴合到所述护膜膜片，

其中，所述氢等离子体耐受性化学增强层包括由硼系材料形成的化学增强层，且由所述硼系材料形成的所述化学增强层包含选自元素硼、B₄C、氧化硼及氮化硼中的至少一者。

15.根据权利要求14所述的护膜，其特征在于，所述氢等离子体耐受性化学增强层包含由硅系材料形成的化学增强层，且由所述硅系材料形成的所述化学增强层包含选自氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少一者。