[发明专利]半导体结构的集成

权利要求书

1.一种用于在半导体器件中将Si_1-xGe_x结构(200)与Si_1-x’Ge_x’结构(110)集成的方法，包括：

提供包括多个Si_1-xGe_x结构(200)的器件，其中0≤x1，

在Si_1-xGe_x结构(200)的子集上沉积GeO₂层(250)，

其中在在Si_1-xGe_x结构(200)的子集上沉积GeO₂层之前，两个或更多个鳍结构存在于所述半导体器件中，并且

其中所述两个或更多个鳍结构包括与牺牲材料(100)交替的一个或多个Si_1-xGe_x结构(200)；

以足够高的温度加热至少Si_1-xGe_x结构(200)的子集并且达足够长的时间，以将Si_1-xGe_x结构(200)的子集变换为Si_1-x’Ge_x’结构(110)的子集，其中x’x，其中加热至少Si_1-xGe_x结构的子集将所述GeO₂层转换成Si_1-yGe_yO₂层，其中0y1；

将GeO₂的附加层沉积在所述Si_1-x’Ge_x’结构的子集上；以及

加热至少Si_1-x’Ge_x’结构的子集以进一步增加x’。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Si_1-xGe_x结构(200)有至少一个维度等于或小于25nm。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述多个Si_1-xGe_x结构(200)包括纳米片。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在Si_1-xGe_x结构(200)的子集上沉积GeO₂层(250)包括在Si_1-xGe_x结构(200)的子集上沉积GeO₂共形层(250)。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将Si_1-xGe_x结构(200)的子集变换为Si_1-x’Ge_x’结构(110)的子集其中x’x的所述足够高的温度至少400℃且至多950℃的温度。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将Si_1-xGe_x结构(200)的子集变换为Si_1-x’Ge_x’结构(110)的子集其中x’x的所述足够长的时间，足够长以便将至少一个Si_1-x’Ge_x’结构(110)的化学成分均匀化。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中x’x的所述Si_1-x’Ge_x’结构(110)包括纳米线，并且其中x’x的所述Si_1-x’Ge_x’结构(110)的化学成分径向对称。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括相对于所述一个或多个Si_1-xGe_x结构(200)选择性地移除所述牺牲材料(100)。